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si2323场效应管参数

Si2323是一种N-沟道增强型MOSFET场效应管，常用

于电源开关、驱动电路和功率放大器等应用。下面是一些常

见的Si2323场效应管参数：

1.额定电压（Vds）：通常为20V（伏）。

2.额定电流（Id）：通常为几安（A）级别。

3.导通电阻（Rds(on)）：这是开关管状态下的导通电

阻，常用于评估其导电性能。它的值通常在几个毫欧姆（m

Ω）到几十个毫欧姆之间，可以根据具体型号的数据手册来

确定。

4.阈值电压（Vth）：这是控制场效应管导通的门电压。

Si2323的阈值电压通常在几伏（V）范围内。

5.带通电流（Idm）：这是管子能够承受的最大连续漏

极电流，通常在几安（A）级别。

6.阻塞电容（Ciss）：这是输入端与输出端之间的输入

电容。它的值通常在几十皮法（pF）到几百皮法之间。

7.开关时间（ts,tr,tf,td）：这些参数与场效应管

的开关速度相关，包括上升时间、下降时间、延迟时间等。