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课时1
1启动虚拟机,熟悉Linux系统的基本操作
1.1文件系统
与windows的操作无异
1.2终端
1.2.1进入root用户,和退出root用户
1.2.3常用操作
cd打开文件夹ls显示当前文件夹里的文件
cp复制mv移动mkdir新建文件夹rm删除
Cpfile路径
命令选项参数
2启动cadence
先启动license,再启动cadence
在设置环境变量时,我们设置了命令名lmli来启动license
在终端输入lmli
然后在终端输入icfb
2.1新建一个library
File→new→library
2.2新建一个原理图
File→new→cellview
3熟悉cadence
3.1基本操作和快捷键
添加器件iinstanceq编辑器件参数
W连线p添加端口L添加标签
C拷贝器件M移动u撤销
3.2熟悉一些器件的名称
gnd在电路中表示0电位,和它相连的线线名为gnd,没有设置参数。
vdd和它相连的线线名为vdd。这个器件只用来标示等电位,而不是
电源。
vdc/idc直流电压/电流源,用于为电路提供直流电压/电流。同时还可
以提供交流电流,在AC分析中使用。
vpulse时变电流源,在DC分析中可以输出固定的DC电压,AC分
析中可以输出固定的AC电压,在瞬态分析中可以生成不同占空比
的方波、三角波、梯形波、锯齿波。znmos4/pmos4/pnp通用4端
口NMOS管/PMOS管/PNP三极管
注意,在模型名称(ModelName)一栏需要根据不同的工艺库(Model
Library)中的定义来指定。比如:在某个模型中将NMOS模型定名
为nvn,PMOS管模型定名为nvp,PNP三极管则为pnp5,则在
nmos4器件实例的ModelName栏应当填上nvn、pmos4填nvp、pnp
填pnp5,否则电路将不能正确进行仿真。
res/cap/ind这三个器件分别是电阻、电容、电感。如果进行简单仿
真,这些器件参数设置中不需要指定模型名称,这是这些器件将表现
为理想器件。如果需要根据工艺详细仿真,则可以在器件参数设置中,
根据工艺模型库中的电阻、电容、电感的模型定义这些器件
4反相器实例。(画出CMOS反相器电路图并用spectre仿真反
相器的电压传输特性)
4.1原理
CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型
MOS管串联组成。通常P沟道管作为负载管,N沟道管作为输入管。
这种配置可以大幅降低功耗,因为在两种逻辑状态中,两个晶体管中
的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高,因为与NMOS
型和PMOS型反相器相比,CMOS反相器的电阻相对较低。
两个MOS管的开启电压V0,V0,通常为了保证正常
GS(th)PGS(th)N
工作,要求V|V|+V。若输入v为低电平(如0V),则负
DDGS(th)PGS(th)NI
载管导通,输入管截止,输出电压接近V。若输入v为高电平(如
DDI
V),则输入管导
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