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场效应晶体管截止
答案:
场效应管的截止条件:Ugs必须小于开启所需电压。
当栅极电压为零或负值时,MOSFET处于截止状态。这是因为栅极和沟道之间
不存在电场,栅极电势控制不了沟道导电区域的导电程度。
此时,MOSFET中的导电区域只能由源极和漏极之间的电压控制,电流非常小,
相当于开路状态。因此,当需要关闭MOSFET时,只需将栅极电压置为零或
负值即可。
扩展:
场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要
有两种类型:结型场效应管(junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体
场效应管(metal-oxidesemiconductorFET,简称MOS-FET)。由多数载流
子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输
入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没
有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶
体管的强大竞争者。
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一
种半导体器件,并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。
FET英文为FieldEffectTransistor,简写成FET。
场效应管在栅极电压为零或负值时处于截止状态。
一、什么是场效应管
场效应管(FieldEffectTransistor,FET)是一种用于电子信号放大、开
关和电压调节的半导体器件,具有高频高增益、低噪声、低功耗等特点,广
泛应用于各种电子设备中。
场效应管分为三种类型:JFET、MESFET和MOSFET,其中普遍使用的是MOSFET。
这里着重介绍MOSFET工作原理。
MOSFET由源、漏、栅三个电极组成。当栅极电压为零或负值时,MOSFET处
于截止状态;当栅极电压为正值时,MOSFET处于放大状态。
二、场效应管的截止状态
当栅极电压为零或负值时,MOSFET处于截止状态。这是因为栅极和沟道之间
不存在电场,栅极电势控制不了沟道导电区域的导电程度。
此时,MOSFET中的导电区域只能由源极和漏极之间的电压控制,电流非常小,
相当于开路状态。因此,当需要关闭MOSFET时,只需将栅极电压置为零或
负值即可。
三、截止状态下的特点
MOSFET在截止状态下,具有以下特点:
1.高电阻:因为导电区域非常小,电流非常小,相当于开路状态,输入电阻
非常高。
2.低漏电流:因为漏电流只是随着温度的升高而略有增加。
3.高隔离度:栅极和沟道之间不存在电场。
四、总结
场效应管在栅极电压为零或负值时处于截止状态,此时MOSFET中的导电区
域只能由源极和漏极之间的电压控制,电流非常小,相当于开路状态。截止
状态下,MOSFET具有高电阻、低漏电流和高隔离度等特点。
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