MITSUBISHI ELECTRIC三菱电机IGBT模块 NX型Bodos Power Jun. 2015 7th Gen. IGBT and Diode Chipset Enabling Highest Performance Power Modules技术论文(英语).pdf

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IGBTMODULES

IntroductionTheIGBTchipisdividedinactiveandpassivearea.Thepassive

IndustrialIGBTModulesareusedinavariousfieldofapplications.Allareaattheterminationofthechipisusedtoexpandtheelectrical

thisapplicationsrequiresemiconductorswithlowlossestodevelopfield.Thispassiveareadoesnotcontributebytheactualcurrent

modulesandsystemswhichhavehigherefficiencyandhigherpowerconduction.TominimizethepassiveareanewterminationStructureis

density.OntheotherhandawideSOA(safeoperationarea)andintroduced.BythismethodtheIGBTchipsizecanbereducedwithout

goodcontrollabilityofswitchingbehaviorarerequestedtoachievereductionoftheactivearea.Thereforeelectricalperformanceofthe

highreliabilityandcovertheEMIconditions.Thetrade-offoftheseIGBTisnotinfuencedbythispassiveedgeterminationreduction.

contraryrequirementsforthechipdesignareimprovedandoptimizedOntheotherhandtheactiveIGBTchipareacanbeenlargedifthe

withthe7thgen.1GBT.totalchipssizeiskept.Theresultoftheenlargedactiveareais3

furtherreductionoftheonstatevoltagedrop.Soenlargingactive

EEareaenableseitherthereductionoftheonstatevoltagedroporthe

Esw)

compactpackagedesignwithhighcurrentdensityAsconclusionthe

newterminationstructureenabletodesignamorecompactIGBT

chipswithhigherefficiency.

该用户很懒，什么也没介绍

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