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碳化硅功率半导体项目

商业计划书

***年***月

一、碳化硅功率半导体产业发展情况

宽禁带碳化硅半导体材料具有优良的物理特性，可以用

来制造各种高电压、高频率、高温器件，并能够开辟硅器件

难以胜任的全新应用：在相同的电压/电流等级下，碳化硅器

件的比导通电阻只有硅器件的千分之一，极大地降低了导通

损耗；碳化硅器件的开关频率是硅器件的近20倍，大大减小

电路中储能元件的体积，从而成倍地减小设备体积；碳化硅

器件理论上可以工作在600℃以上的高温，并有抗辐射的优

势，可以大大提高系统的可靠性。碳化硅功率半导体器件的

应用推广，正在掀起一场节能减排和绿色能源开发领域的巨

大变革，在智能电网、轨道交通、电动汽车、新能源并网、

开关电源、工业电机以及家用电器等领域发挥重大作用。

二十世纪九十年代以来，美、日、欧和其他发达国家为

了保持航天、军事和功率半导体技术上的强国地位，将发展

宽禁带半导体技术放在极其重要的战略地位，相继投入了大

量的人力和资金对碳化硅技术进行了广泛深入的研究，旨在

提升其装备系统的能力和减小组件的体积，目前已经取得了

重大的突破，形成了以美国科锐（Cree）、II-VI、道康宁（Dow

Corning）、日本罗姆（Rohm）、新日铁（NipponSteel）为

代表的其SiC单晶生产企业，以及以美国Wolfspeed、德国英

飞凌、日本Rohm、欧洲的意法半导体（STMicro）、日本三

菱（Mitsubishi）为代表的碳化硅功率器件生产企业，其产品

覆盖4英寸和6英寸碳化硅单晶和在SiC二极管和MOSFET器

件产品。特别是美国Wolfspeed、德国Infineon公司已经推出

了五代SiCJBS产品以及几十款平面栅MOSFET器件。

我国也将发展宽禁带碳化硅半导体产业纳入“中国制造

2025”、“十三五”发展规划等国家战略给予重点支持。山东省

将发展宽禁带半导体产业纳入了《山东省新旧动能转换重大

工程实施规划》，作为新动能进行重点培育发展。在碳化硅

衬底材料方面，山东***已拥有了成熟的4英寸零微管4H-SiC

高纯半绝缘和6英寸N型单晶生产工艺，并形成产能，代表了

我国在该领域的最高水平。我国的碳化硅功率器件产品以二

极管产品为主，若干单位具备开发晶体管产品的能力，已研

发出了最高电压等级的碳化硅器件是17kV的SiCPiN二极

管，最大容量的碳化硅器件是3300V/50ASiCJBS二极管；具

备了1200V-3300VSiCMOSFET、1200V-4500VSiCJFET等

芯片的研发能力。

根据国际著名咨询公司分析，宽禁带半导体产业规模将

保持年均39%以上复合增长率，预计2025年全球宽禁带半导

体产业的市场规模将超过2万亿人民币。

二、***公司情况介绍

***公司成立于***年，起于碳化硅单晶衬底材料，致力

于碳化硅半导体全产业链发展。***公司是我国宽禁带半导

体材料领域的龙头企业，建有***中心。

***公司已投资数十亿元建设碳化硅单晶衬底材料生产

和研发基地。目前已实现2-6英寸导电型和半绝缘型碳化硅

衬底产业化，并批量供应中国电子科技集团公司等单位。公

司目前具备年产5万片碳化硅衬底的生产能力，对实现我国

碳化硅单晶衬底材料自主可控、保障国防建设和国民经济发

展发挥了重要作用。

**公司于***年在***等地建立了碳化硅功率芯片设计

团队，攻克了芯片设计、制造核心关键技术，形成可转移的

技术工艺文件，中试产品达到国际领先水平，并通过“泰山产

业领军人才”计划将芯片团队引入了国内，具备了产业化条

件。

三、项目建设规划

本项目依托**在碳化硅半导体领域的领先优势，以山东

省新旧动能转换为契机，以纳入国家《“十三五”集成电路产

业重大生产力布局规划》为基础，加速推进碳化硅半导体全

产业链发展。项目将建成国际领先的碳化硅半导体产业基

地，带动形成基于宽禁带碳化硅功率半导体的产业集群，并

与青岛本地的轨道交通、家用电器等一批碳化硅功率半导体

典型应用企业进行深度融合，通过先进技术和产品改造提升

传统装备制造业,释放巨大市场空间，促进产业转型升级，

支撑新旧动能转换，形成国际竞争力和影响力。

“碳化硅功率半导体产业链项目”从碳化硅衬底材料、功

率芯片、模块及系统应