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半导体制造过程控制系统（PCS）系列：化学机械平坦化控制系统_（14）.CMP过程与集成电路制造的其他工序协同.docxVIP

半导体制造过程控制系统（PCS）系列：化学机械平坦化控制系统_（14）.CMP过程与集成电路制造的其他工序协同.docx

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    CMP过程与集成电路制造的其他工序协同

    在半导体制造过程中，化学机械平坦化（ChemicalMechanicalPolishing,CMP）是确保晶圆表面平坦度的关键步骤。CMP过程不仅直接影响到芯片的性能和可靠性，还需要与集成电路制造的其他工序紧密协同，以确保整个制造流程的高效和稳定。本节将详细介绍CMP过程如何与集成电路制造的其他工序协同工作，包括前道工序、后续工序以及质量控制环节。

    1.CMP过程与前道工序的协同

    1.1前道工序对CMP的影响

    在CMP过程之前，晶圆通常已经经历了多个前道工序，如沉积、光刻、刻蚀等。这些前道工序的工艺参数和

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