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窄禁带半导体薄膜光阴极的性能模拟研究.pdf

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    摘要

    近年来，迅速发展的新能源、自旋电子、空间探测技术等促进了光电阴极的性能

    发展，以GaAs为代表的NEA光电阴极无法满足在短红外波段的探测需求，因此有必

    要对新的光电阴极材料展开研究，提升对夜天光资源的利用率。窄禁带半导体材料具

    有电子有效质量小，电子迁移率高，载流子寿命长等特性，是优良的红外光电信息功

    能材料。而夜天光辐射的波段范围由短红外波段到部分可见光均有分布，其峰值和主

    要辐射能主要存在于短波红外波段、近红外波段，其中另有少部分分布在中红外波段，

    在微光夜视技术上有着潜在的

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