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放大电路详解;B;二、工作状态;⑵电流的关系
IE=IB+IC;IB微小的变化,会产生IC很大的变化。
IC=βIB。
0<UCE<UCC,UCE=UCC-RCIC。
晶体管相当于通路。;特点:
IB↑,IC根本不变。
IC≈UCC/RC。
UCE≈0。
晶体管相当于短路。;在放大区:IC=βIB
(2)输入电阻
两个独立的共集放大电路
(1+9)×103
(2)开关S合向b时
绝对值:|Au|=
4放大电路的动态分析
晶体管相当于开路。
|Au|=
2]求[例9.
7场效应型晶体管根本放大电路
共集放大电路的微变等效电路
(1)共模输入信号ui1=ui2
可以放大直流信号。
试求放大电路的静态工作点。
[例9.;晶体管处于放大状态。
(2)开关S合向b时;UCE=0V
晶体管处于饱和状态。因为假设
IC=?IB=100×0.1mA=10mA
UCE=UCC-RCIC=(15-5×103×10×10-3)V=-35V
UCE<0,这是不可能的,即不可能处于放大状态。
(3)开关S合向c时
IB=0,IC=0,UCE=UCC=15V
晶体管处于截止状态。;三、特性曲线;2.输出特性
IC=f(UCE)∣IB=常数;动态电流放大系数?
2.穿透电流ICEO
3.集电极最大允许电流ICM
4.集电极最大耗散功率PCM
PC=UCE×IC
5.反向击穿电压U(BR)CEO;9.2放大电路的工作原理;;iB;9.3放大电路的静态分析;;[例9.3.1]在如下图的固定偏置放大电路中,UCC=6V,RB=180kΩ,RC=2kΩ,?=50,晶体管为硅管。试求放大电路的静态工作点。;二.静态工作点的影响;9.4放大电路的动态分析;在放大电路中:;ri大?Ui大?Uo大;
ri大?Ii小?可减轻信号源的负担;;3.输出电阻ro;假设ro小,带载能力强;反之带载能力差。;4.放大电路的频率特性;[解](1);RL
RL+ro;二、放大电路的微变等效电路;晶体管从输入端看,可以用一个等效的动态电
阻rbe代替。;+
Uce
-;Ii;Au=;[例9.4.2]求[例9.3.1]放大电路的空载电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。;9.5双极型晶体管根本放大电路;(2)增加发射极电阻RE,
可以稳定IC。;;3.动态分析;Au=;;3.动态分析;Au=;;3.动态???析;Au=;9.6场效应型晶体管;
P型硅衬底;按导电沟道形成的不同分为:
增强型—简称E型
耗尽型—简称D型;三、工作原理;四、特性曲线;耗尽型PMOS管;9.7场效应型晶体管根本放大电路;2.动态时;只要UGSUGS(off),导电沟道就不会消失。
IG=0
1.静态时
uGS=-RSIS
2.动态时
与增强型一样。;9.8多级放大电路;2.动态分析;⑴Au=Au1×Au2
其中:RL1=ri2,
⑵ri=ri1
⑶ro=ro2;1.静态分析
前后级静态工作点相互影响,相互制约;不能
独立设置。
2.动态分析
分析方法同直接耦合放大电路。
可以放大直流信号。
3.零点漂移;[例9.6.1]如下图放大电路,RB1=33k?,RB2=RB3=10k?,RC=2k?,RE1=RE2=1.5k?,两晶体
管的?1=?2=60,rbe1=rbe2=
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