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《基于外场调控下单层WSe2中的自旋能谷器件理论设计》

一、引言

随着半导体材料和电子器件的不断发展，自旋电子学和能谷电子学逐渐成为新兴的研究领域。单层WSe2作为一种具有独特物理性质的二维材料，在自旋电子学和能谷电子学领域具有广泛的应用前景。本文将介绍基于外场调控下单层WSe2中的自旋能谷器件的理论设计，探讨其设计原理、方法及潜在应用。

二、单层WSe2材料特性

单层WSe2是一种二维过渡金属硫族化合物，具有与石墨烯相似的结构。其独特的电子能带结构和强自旋轨道耦合效应，使得单层WSe2在自旋电子学和能谷电子学领域具有显著优势。其电子态和自旋态的可调控性为设计自旋能谷器件提供了良好的基础。

三