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CSPV2021
海尔贝克阵列磁场对硅熔体流动影响的数值模拟分析
11,21,2
韩学峰,皮孝东,杨德仁
1.浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院
2.浙江大学硅材料国家重点实验室
2021年12月7日
Introduction
AdvantagesofFZ(floatingzone)silicon:Applicationsofhigh-voltagepower
device:
Impurityconcentration(oxygen,carbon)isElectricalautomobiles
low[1]Electricalhighspeedtrain
Superior-qualityPVcell
[1]B.Nacke,A.Muiznieks,Numericalmodellingoftheindustrialsiliconsinglecrystalgrowthprocesses,GAMM30
(2007)113-124.
Introduction
Issue
GrowthrateInterfacedeflectionCracking
DiameterThermalstress
Interfacedeflection
VonMisesstress
[2]Wünscher,M.,etal.JournalofCrystalGrowth385:100-105.(2014)
[3]R.Menzel,GrowthConditionsforLargeDiameterFZSiSingleCrystals,PhDthesis.Crackingofcrystal
Introduction
Motivation
UsingHalbachmagneticfieldtocontrolthesolid-liquidinterface
Advantages:
1.Lowcost
2.Easyinstallation
SmallcaseLargecase
Nd-Fe-Bmagnets
[4]X.F.Han*,K.Kakimoto,S.Alradi,K.Zaidat,JournalofCrystalGrowth,(2020)
Resultsanddiscussion
Magneticfluxdensityat5mmaboveandbelowthemagnets
[4]X.F.Han*,K.Kakimoto,S.Alradi,K.Zaidat,JournalofCrystalGrowth,(2020)
Numericalmodeling
1.Electromagneticmodel
Calculationprogram:COMSOL
FeedrodMainslit:1mm
Current
supplies
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