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《原子层沉积系统温度控制研究》

一、引言

随着现代科技的发展，原子层沉积（AtomicLayerDeposition，ALD）技术因其高精度、高效率和优异的层状控制能力在材料科学、电子工业等领域得到广泛应用。温度作为原子层沉积过程中的关键参数之一，对薄膜生长的质量、厚度、成分及结构有着至关重要的影响。因此，本文针对原子层沉积系统中温度控制技术的研究显得尤为重要。

二、原子层沉积系统概述

原子层沉积系统是一种利用化学反应在基底上逐层生长薄膜的技术。其核心原理是利用交替的饱和脉冲和惰性气体冲洗，确保每一步的化学反应都达到饱和状态，从而实现精确的薄膜生长。在这一过程中，温度是影响化学反应速率、薄