场效应管基础知识单选题100道及答案解析.docxVIP

场效应管基础知识单选题100道及答案解析

1.场效应管是一种（）控制器件。

A.电流B.电压C.电阻D.电容

答案：B

解析：场效应管是电压控制型器件，通过栅源电压来控制漏极电流。

2.场效应管的输入电阻（）。

A.很小B.较大C.中等D.很大

答案：D

解析：场效应管的输入电阻通常可达10^7-10^15欧姆，输入电阻很大。

3.结型场效应管的栅源电压不能（）。

A.为正B.为负C.为零D.不确定

答案：A

解析：结型场效应管的栅源电压必须为负，才能形成导电沟道。

4.增强型MOS场效应管的开启电压（）。

A.大于零B.小于零C.等于零D.不确定

答案：A

解析：增强型MOS场效应管的开启电压大于零。

5.耗尽型MOS场效应管在栅源电压为零时（）。

A.没有导电沟道B.有导电沟道C.导电沟道不确定D.以上都不对

答案：B

解析：耗尽型MOS场效应管在栅源电压为零时就有导电沟道。

6.场效应管的跨导反映了（）。

A.输入电压对输出电流的控制能力B.输入电流对输出电压的控制能力

C.输出电压对输入电流的控制能力D.输出电流对输入电压的控制能力

答案：D

解析：场效应管的跨导表示输出电流对输入电压的控制能力。

7.场效应管工作在恒流区时，其漏极电流主要取决于（）。

A.栅源电压B.漏源电压C.栅极电阻D.漏极电阻

答案：A

解析：在恒流区，漏极电流主要由栅源电压决定。

8.场效应管的夹断电压是指（）。

A.使导电沟道完全夹断时的栅源电压B.使导电沟道开始夹断时的栅源电压

C.使漏极电流为零时的栅源电压D.以上都不对

答案：A

解析：夹断电压是使导电沟道完全夹断时的栅源电压。

9.场效应管的输出特性曲线可分为（）个区域。

A.2B.3C.4D.5

答案：B

解析：输出特性曲线分为可变电阻区、恒流区和截止区三个区域。

10.以下哪种场效应管的输入电容最小（）。

A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法确定

答案：A

解析：结型场效应管的输入电容相对较小。

11.场效应管的漏极特性曲线中，当漏源电压较小时，曲线呈现（）。

A.直线B.抛物线C.双曲线D.不规则曲线

答案：A

解析：漏源电压较小时，漏极特性曲线近似为直线，处于可变电阻区。

12.对于N沟道场效应管，栅源电压为负时，沟道（）。

A.变宽B.变窄C.不变D.消失

答案：B

解析：栅源电压为负时，沟道变窄。

13.场效应管的噪声（）双极型晶体管。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

答案：B

解析：场效应管的噪声通常小于双极型晶体管。

14.场效应管的温度稳定性（）双极型晶体管。

A.优于B.劣于C.等于D.不确定

答案：A

解析：场效应管的温度稳定性优于双极型晶体管。

15.场效应管的放大作用主要是依靠（）。

A.多数载流子的漂移运动B.多数载流子的扩散运动

C.少数载流子的漂移运动D.少数载流子的扩散运动

答案：A

解析：场效应管的放大作用主要依靠多数载流子的漂移运动。

16.场效应管的开启电压与（）有关。

A.沟道的宽度B.沟道的长度C.半导体材料D.以上都是

答案：D

解析：开启电压与沟道的宽度、长度以及半导体材料等因素都有关系。

17.当栅源电压等于零时，增强型MOS场效应管处于（）。

A.导通状态B.截止状态C.放大状态D.饱和状态

答案：B

解析：栅源电压等于零时，增强型MOS场效应管处于截止状态。

18.场效应管的输出电阻（）。

A.很小B.较大C.中等D.不确定

答案：B

解析：场效应管的输出电阻较大。

19.以下哪种场效应管的制造工艺最简单（）。

A.结型场效应管B.增强型MOS场效应管C.耗尽型MOS场效应管D.无法比较

答案：A

解析：结型场效应管的制造工艺相对简单。

20.场效应管的栅极电流（）。

A.较大B.较小C.为零D.不确定

答案：C

解析：场效应管的栅极电流几乎为零。

21.场效应管的转移特性曲线描述的是（）之间的关系。

A.漏极电流和栅源电压B.漏极电流和漏源电压

C.栅极电流和栅源电压D.栅极电流和漏源电压

答案：A

解析：转移特性曲线