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章薄膜淀积工艺;薄膜淀积（ThinFilm;一、概述薄膜淀积工艺是IC制造;2、薄膜淀积工艺一般可分为两类;3、评价薄膜淀积工艺的主要指标;深宽比（AspectRati;1、气体分子的质量输运机制：低;1、标准环境条件：;3、气体动力学理论推导的几个公;4、真空区域划分：压强高，真空;(1)真空系统的组成：气源（;(1)低中真空泵：?;1、等离子体（Plasma）：;3、当气体由原子A和原子B组成;■阴极暗区（Crooke暗;图10.17射频等离子体示;图10.18射频等离子体中;■?引言■?CVD工艺;（一）引言1、定义：?化学反;(1)淀积温度较低，减轻了;图13.1简单的热CVD反应;2、SiCVD反应器中发生的;图13.3SiCVD过程中;3、一个典型的SiCVD工艺;4、反应腔内的化学反应：(1);假设KP(T)是已知的，此时三;■CVD过程从气相中消耗;(1)当反应腔压力降低时，反应;(2)对于动力学控制过程，Si;图13.4气流在管形反应器中;展开距离为：其中，a是管道半径;图13.1简单的热CVD反应;倾斜角度需根据特定工艺进行优化;2）气相输运的扩散系数与温度的;图13.8CVD淀积速率;教材第256～257页：第1、
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