电力电子技术第二章XX09.pptxVIP

电力电子技术Powe;第2章电力电子器件及应用12;910其它新型电力电子器件电力;电力电子器件（PowerEl;2.1.1电力电子器件的特点;广义上电力电子器件可分为电真空;同处理信息的电子器件相比，电力;2.1.1电力电子器件的特点;电力电子器件一般都工作在开关状;电力电子器件一般需要专门的驱动;4）电力电子器件工作时常需配置;电力电子系统：由控制电路、驱动;2.1.2电力电子器件的分类;1）不可控器件(Uncontr;1）不可控器件(Uncontr;2）半控型器件(Semi-co;3）全控型器件(Full-co;电力电子器件件可控器件非可控器;2、按照驱动电路加在器件控制端;3、按照器件内部电子和空穴两种;电力电子器件分类树22.1.2;2.2.1PN结原理半导体;温度?光照自由电子空穴本征激发;载流子：（源于金属导体），电流;几个重要概念：原子最外层的电子;几个重要概念：目录2．1电;+4+4+4+4+4+4+4+;+4+4+4+4+4+4+4+;PN结：是指半导体的P型导电区;空间电荷建立的电场被称为内电场;正向偏置1)在正向偏置外电场作;正向偏置3）P区和N区的注入少;正向偏置5）随着正向偏置电压的;正向偏置6）起初PN结流过的正;反向偏置1）在反向偏置外电场作;反向偏置3）边界载流子被抽走之;反向偏置6）随着反偏电压的增;反向偏置的击穿雪崩击穿：;反向偏置的击穿2.2.1;反向偏置的击穿2.2.1;结电容（影响动态特性）PN结的;结电容因载流子的扩散、积累而形;结电容结电容（CJ）又称微分电;结电容（势垒电容—CB，扩散电;2．2．2电力电子器件的封装;2．3功率二极管;2.3.1结型电力二极管基本;为了提高PN结二极管承受反向电;2.3.1结型功率二极管基;N-区的存在产生的影响：1）提;2.3.2电力二极管的基本;2.3.2电力二极管的基本;动态特性(DynamicCh;2.3.2电力二极管的基本;2.3.2电力二极管的基本;2.3.2电力二极管的基本;2．3．3快速功率二极管;2．3．3快速功率二极管2;2．3．4肖特基势垒二极管;2．3．4肖特基势垒二极管;尽管肖特基二极管和结型二极管具;肖特基二极管导通压降一般为0.;正向平均电流IF(AV)正向;正向平均电流IF(AV)使用;正向压降UF指电力二极管在指;最高工作结温TJM结温是指管芯;电力二极管的主要应用：整流：利;电力二极管的主要应用：续流：2;电力二极管的主要应用：限幅：限;按照正向压降、反向耐压、反向漏;2．3．6功率二极管的应用;晶闸管（Thyristor）：;外形有：螺栓型、平板型（大功率;对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳;2．4．1基本结构和工作原;P2N2GKP1N1AJ1J2;2．4．1基本结构和工作原;2．4．1基本结构和工作原;2．4．1基本结构和工作原;2．4．1基本结构和工作原;2.4.1晶闸管的结构与工;2．4．1基本结构和工作原;2．4．2晶闸管特性及主要;2．4．2晶闸管特性及主要;2．4．2晶闸管特性及主要;2．4．2晶闸管特性及主要;2．4．2晶闸管特性及主要;2．4．2晶闸管特性及主要;2．4．2晶闸管特性及主要;2．4．3晶闸管派生器件及;2．4．3晶闸管派生器件及;2．4．3晶闸管派生器件及;2．4．3晶闸管派生器件及;2．4．3晶闸管派生器件及;2．4．4晶闸管的触发;2．4．4晶闸管的触发;2．4．5晶闸管的应用特点;2．5可关断晶闸管（GTO;3.1.2GTO的结;GTO能够通过门极关断的基本设;工作原理：与普通晶闸管一样，可;开通过程：与普通晶闸管类似，需;关断过程：与普通晶闸管有所不同;关断过程：与普通晶闸管有所不同;GTO的主要参数（;3）最大可关断阳极电流IATO;2．5．2可关断晶闸管特性;驱动电路——主电路与控制电路之;电流驱动型和电压驱动型???中;2．5．3可关断晶闸管的驱;2．5．3可关断晶闸管的驱;2．5．3可关断晶闸管的驱;典型的直接耦合式GTO驱动电路;2．5．4可关断晶闸管的应;2．6电力晶体管电力晶体管;其原理与普通的双极结型晶体管基;2．6．1基本结构和工作原;GTR的结构示意图（单管）2．;2.6.2GTR的基本特性(;输出特性：共发射极接法时的集电;在电力电子电路中GTR工作在开;在相同温度下，增益随Uce上升;(2)?动态特性ibIb1I;(2)?动态特性ibIb1I;前已述及：电流放大倍数?、直流;