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摘要
铅基硫族化合物量子点是直接带隙半导体材料，具有高荧光量子产率、大激
子波尔半径，宽波长调谐范围以及高效的单光子多激子效应等特点而被广泛研究。
然而将铅基硫族化合物量子点从湿化学合成扩展至高性能光电子器件应用仍然
存在较大困难，这是因为铅基硫族化合量子点表面原子活性较高，易被氧化掺杂，
造成量子点光电特性发生不可控的变化。另一方面，铅基硫族化合物量子点表面
的悬挂键以及长链配体导致载流子传输困难，使制备的光电子器件性能不佳。因
此，本文采用湿化学方法合成PbS、PbSe量子点，并通过核
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