需要学生了解的知识点答案.docx

第一组：简述短沟道效应和窄沟道效应

短沟道效应主要是指阈值电压及沟道相关到非常严重的程度。

沟道长度减小到一定程度后,源、漏结的耗尽区在整个沟道中所占的比重增大,栅下面的硅外表形成反型层所需的电荷量减小,因而阈值电压减小。同时衬底内耗尽区沿沟道宽度侧向展宽局部的电荷使阈值电压增加。当沟道宽度减小到及耗尽层宽度同一量级时，阈值电压增加变得十分显著。短沟道器件阈值电压对沟道长度的变化非常敏感。

当场效应晶体管的沟道宽度≈源和漏结的耗尽层宽度时，即为所谓“窄沟道〞器件。在器件构造的尺寸缩小时，不仅沟道长度变短，宽度也将按同比例在缩小，于是就会出现窄沟道器件。器件的阈值电压等性能因为沟道变窄而发生变化的现象即称为窄沟道效应——晶体管的阈值电压升高。

第二组：简述salicide、silicide、polycide工艺

首先，这三个名词对应的应用应该是一样的，都是利用硅化物来降低连接电阻。

其中，SILICIDE就是金属硅化物，是由金属和硅经过物理－化学反响形成的一种化合态，其导电特性介于金属和硅之间，而POLYCIDE和SALICIDE则是分别指对着不同的形成SILICIDE的工艺流程，下面对这两个流程的区别简述如下：

POLYCIDE：其一般制造过程是，栅氧化层完成以后，继续在其上面生长多晶硅(POLY-SI〕，然后在POLY上继续生长金属硅化物〔silicide〕，其一般为WSi2〔硅化钨〕和TiSi2〔硅化钛〕薄膜，然后再进展栅极刻蚀和有源区注入等其他工序，完成整个芯片制造。

SALICIDE:它的生成比拟复杂，先是完成栅刻蚀及源漏注入以后，以溅射的方式在POLY上淀积一层金属层〔一般为Ti,Co或Ni〕，然后进展第一次快速升温煺火处理〔RTA〕，使多晶硅外表和淀积的金属发生反响，形成金属硅化物。根据煺火温度设定，使得其他绝缘层〔

Nitride或Oxide〕上的淀积金属不能跟绝缘层反响产生不希望的硅化物，因此是一种自对准的过程。然后再用一中选择性强的湿法刻蚀〔NH4OH/H2O2/H20或H2SO4/H2O2的混合液〕去除不需要的金属淀积层，留下栅极及其他需要做硅化物的salicide。另外，还可以经过屡次煺火形成更低阻值的硅化物连接。跟POLYCIDE不同的是，SALICIDE可以同时形成有源区S/D接触的硅化物，降低其接触孔的欧姆电阻，在深亚微米器件中，减少由于尺寸降低带来的相对接触电阻的提升。另外，在制作高值POLY电阻的时候，必须专门有一层来防止在POLY上形成SALICIDE，否则电阻值就上不了哈。。

Salicide可以减小栅极和源漏电阻

Polycide可以减小栅极电阻

POLYCIDE及SALICIDE工艺构造图

POLYCIDE工艺构造图〔1〕

POLYCIDE工艺构造图〔2〕

SALICIDE工艺构造图〔1〕

SALICIDE工艺构造图〔2〕

POLYCIDE及SALICIDE两种工艺目的

POLYCIDE

减小栅极电阻

SALICIDE

减小栅极电阻;

减小源漏接触电阻

第三组：IC工艺上隔离分哪两种？其区别在哪儿？

分locos隔离和STI隔离

Locos隔离是厚氧隔离，STI是浅沟道隔离

STI的概念

STI是ShallowTrenchIsolation的缩写，STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。为了完成有源器件的隔离，在它周围必须形成绝缘侧壁，在较为先进的CMOS工艺制成中，通常用STI的方法来做隔离。浅槽隔离利用高度各向异性反响离子刻蚀在外表切出了一个几乎垂直的凹槽。该凹槽的侧壁被氧化，然后淀积多晶硅填满凹槽的剩余局部[1]。

在substrate挖出浅槽时会产生压力的问题。由于扩散区到MOS管的距离不同，压力对MOS管的影响也不同。所以对于一样长宽两个MOS管，由于对应的扩散区长度的不同而造成器件性能的不同。

第四组：用固体能带理论来解释导体、半导体、绝缘体

简单来说，绝缘体理论上是不导电的，就是说你随便怎么加电，都没有电流产生，因为绝缘体中是没有自由电子；导体导电性好，只要加电，就会产生电流，因为导体中有大量的自由电子，在电场作用下朝一个方向移动，产生电流；半导体相对复杂一些，不同的半导体导带中的自由电子数量不一样〔虽然不同导体自由电子也不一样，但平均来说，半导体的自由电子量级是远远低于导体〕，如本征半导体，导电性非常差，因为电子和空穴的数目相等，而掺杂半导体根据掺杂类型的不同，P型中空穴较多，N型中电子较多，这样在电场作用下就会产生电流。深入到具体理论，需要从能带角度来解释，这个相对要深一些。本征半导体在绝对零度是不导电的，因为导带中没有电子，在温度、光照等作用下，价带电子跃迁到导带形成自由电子，价带中形成空穴，这就是电子空穴对；掺杂半导体杂质原子提供电