《基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则》（征求意见稿）.docx

ICS29.220CCSK82

51

四川省地方标准

DB51/TXXXX—XXXX

基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则

（征求意见稿）

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

四川省市场监督管理局发布

DB51/TXXXX—XXXX

I

目次

前言 III

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4主要材料选择 1

5制备技术 2

DB51/TXXXX—XXXX

II

DB51/TXXXX—XXXX

III

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由四川省经济和信息化厅提出、归口并解释。

本文件起草单位：通威太阳能（成都）有限公司、成都市标准化研究院、通威太阳能（眉山）有限公司、四川高景太阳能科技有限公司、宜宾英发德耀科技有限公司、四川东磁新能源科技有限公司、四川美科新能源有限公司、四川省通威晶硅光伏产业创新有限公司。

本文件主要起草人：邢国强、蒋方丹、蒋丽琼、胡承志、孟夏杰、杨焘、陈杨、余斌、姚骞、毕喜行、乔乐、薛玉雪、韩晨、金刚刚、王艺澄、李俊、张云莎、苏荣。

DB51/TXXXX—XXXX

1

基于PECVD工艺的TOPCon电池制备技术通则

1范围

本文件规定了采用PECVD方式制备超薄氧化硅层及掺杂多晶硅层钝化接触（TOPCon）电池的主要材料要求以及制备技术等内容。

本文件适用于基于PECVD路线的TOPCon太阳电池的制备。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2297太阳光伏能源系统术语

GB/T14264半导体材料术语

SJ/T11829.1晶体硅光伏电池用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）设备第1部分：管式PECVD设备

3术语和定义

GB/T2297、GB/T14264、SJ/T11829.1界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

TOPCon太阳能电池tunneloxidepassivatedcontactsolarcell

一种包含超薄氧化硅层和掺杂多晶硅层组成的钝化接触结构的太阳能电池。

3.2

超薄氧化硅层ultrathinsiliconoxidelayer

通过氧原子与硅表面结合形成的厚度为1nm~2nm的氧化硅层。

3.3

n型掺杂多晶硅n-typepolysilicon

在晶体结构中掺入五价元素（如磷、砷或锑）的多晶硅层。

3.4

硼硅玻璃borosilicateglass

在刻蚀液腐蚀过程中起到掩膜和阻挡层作用的掺硼氧化硅层。

3.5

磷硅玻璃phosphosilicateglass

在刻蚀液腐蚀过程中起到掩膜和阻挡层作用的掺磷氧化硅层。

4主要材料要求

4,1硅片

DB51/TXXXX—XXXX

2

4.1.1长度与宽度要求

TOPCon太阳电池所用硅片为矩形，具体要求见表1。

表1TOPCon太阳电池长度与宽度要求

项目

长度mm

宽度mm

尺寸偏差mm

要求

166≤L≤230

83≤W≤230

±1

4.1.2厚度要求

硅片厚度为100μm~150μm。4.1.3少子寿命要求

硅片少子寿命≥1000μs。

4.1.4间隙氧含量要求

硅片间隙氧含量≤7×1017atoms·cm-3(14ppma)。4.1.5电阻率要求

硅片电阻率为0.3Ω·cm~2.1Ω·cm。

4.2气体要求

PECVD制备超薄氧化硅层及n型掺杂多晶硅的气体纯度要求见表2。

表2PECVD制备超薄氧化硅层及n型掺杂多晶硅的气体纯度要求

气体类型

纯度要求

N2O

≥99.999%

SiH4

≥99.9999%

PH3

≥99.999%

BCl3

≥99.999%

H2

≥99.999%

5制备技术

5.1制备工艺流程

PECVD路线的TOPCon太阳电池的制备技术流程见图1。

DB51/TXXXX—XXXX

3

图1PECVD路线的TO