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专项提能特训(7)物质结构与性质综合大题突破
1.(2021·湖南卷,18)硅、锗(Ge)及其化合物广泛应用于光电材料领域。回答下列问题:
(1)基态硅原子最外层的电子排布图为____________,晶体硅和碳化硅熔点较高的是____________(填化学式);
(2)硅和卤素单质反应可以得到SiX4。
SiX4的熔、沸点
SiF4
SiCl4
SiBr4
SiI4
熔点/K
183.0
203.2
278.6
393.7
沸点/K
187.2
330.8
427.2
560.7
①0℃时,SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4呈液态的是__________(填化学式),沸点依次升高的原因是____________________,气态SiX4分子的空间结构是________;
②SiCl4与N甲基咪唑()反应可以得到M2+,其结构如图所示:
N甲基咪唑分子中碳原子的杂化轨道类型为________,H、C、N的电负性由大到小的顺序为________,1个M2+中含有________个σ键;
(3)下图是Mg、Ge、O三种元素形成的某化合物的晶胞示意图。
①已知化合物中Ge和O的原子个数比为1∶4,图中Z表示________原子(填元素符号),该化合物的化学式为____________;
②已知该晶胞的晶胞参数分别为anm、bnm、cnm,α=β=γ=90°,则该晶体的密度ρ=________g·cm-3(设阿伏加德罗常数的值为NA,用含a、b、c、NA的代数式表示)。
解析:(1)硅原子核外有14个电子,有1s、2s、2p、3s、3p五个能级,每个能级的电子数分别是2、2、6、2、2,则基态硅原子最外层的电子排布图为。晶体硅和碳化硅均为共价晶体,碳原子半径比硅原子半径小,则C—Si键键长比Si—Si键键长短,故碳化硅的熔点较高。(2)①0℃≈273K,由题表中的数据可知,只有SiCl4的熔点低于273K,沸点高于273K,则SiCl4在0℃时为液态。SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4均为分子晶体,结构相似,相对分子质量依次增大,则分子间作用力依次增大,沸点逐渐升高。SiX4的中心原子Si周围的σ键电子对数=4+eq\f(1,2)×(4-1×4)=4,无孤电子对,由VSEPR理论可知,其VSEPR模型与分子空间结构均为正四面体。②中甲基碳原子为饱和碳原子,是sp3杂化,碳碳双键中的碳原子为sp2杂化。短周期同周期元素从左到右,电负性逐渐增大,且H的电负性比C小,故电负性由大到小的顺序是NCH。中1个基团有1个N—Si、4个N—C、1个N===C、1个C===C、6个C—H,共有13个σ键,4个基团,则含13×4=52(个)σ键,另外还有2个Si—Cl键,故1个中含有σ键的数目为54个。(3)①由晶胞结构图可知,1个晶胞中,对于X原子,8个位于顶点、4个位于棱上、6个位于面上、3个位于晶胞内,故1个晶胞中含有X的数目为8×eq\f(1,8)+4×eq\f(1,4)+6×eq\f(1,2)+3=8(个);对于Y原子,4个Y原子均位于晶胞内;对于Z原子,16个Z原子均位于晶胞内。其中Ge和O的原子个数比为1∶4,则X为Mg,Y为Ge,Z为O。由上述分析可知,该化合物的化学式为Mg2GeO4。②1个晶胞的质量=eq\f(24×8+73×4+16×16,NA)g=eq\f(740,NA)g,1个晶胞的体积=abc×10-21cm3,则晶体的密度ρ=eq\f(\f(740,NA)g,abc×10-21cm3)=eq\f(740×1021,abcNA)g·cm-3。
答案:(1)SiC
(2)①SiCl4SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4都是分子晶体,相对分子质量依次增大,分子间作用力依次增大正四面体②sp2、sp3NCH54
(3)①OMg2GeO4②eq\f(740×1021,abcNA)
2.(2020·天津卷,13)Fe、Co、Ni是三种重要的金属元素。回答下列问题:
(1)Fe、Co、Ni在周期表中的位置为________,基态Fe原子的电子排布式为________。
(2)CoO的面心立方晶胞如图1所示。设阿伏加德罗常数的值为NA,则CoO晶体的密度为________g·cm-3;三种元素二价氧化物的晶胞类型相同,其熔点由高到低的顺序为________________________________________________________________________
________________________________________________________________________。
图1
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