第2章 半导体三极管及其基本应用8.pptVIP

第2章作业P85：2.2、2.3(bce)、2.4(a)、2.9(ab)、2.10(cd)、2.122.1晶体管及其特性三极管概述半导体三极管常见外形2.1.2晶体管的工作原理二、饱和状态三、截止状态伏安特性的应用举例2.1.4晶体管的主要参数*例2.1.5晶体管伏安特性的Multisim仿真（自学）2.1复习要点作业：P852.4之图(a),P852.22.2晶体管基本应用及其分析方法概述2.2.1晶体管直流电路及其分析2.2.3晶体管基本放大电路及其分析讨论：CE放大电路的信号放大过程与波形特点3、信号过大引起的非线性失真，处理措施*例三、小信号模型分析法（微变等效电路分析法）讨论2.放大电路的小信号模型分析法（重点）例2.2.32.2.4晶体管应用电路的Multisim仿真（自学）作业：P852.3中图bce2.工作原理a.当UGS=0，DS间为两个背对背的PN结,iD=0；c.uGS加正电压，当uGS?UGS(th)时，衬底中电子被吸引到表面，形成导电沟道（反型层），产生iD;反型层(沟道)（1)uGS对输出电流iD的控制作用b.当0UGSUGS(th)(开启电压)时，GB间的垂直电场吸引P区中电子形成离子区(耗尽层),iD=0;iDd.uGS越大沟道越厚，沟道电阻减小，iD增大。uGS控制输出电流iD的有无和大小，场效应管实质是压控电流2)uDS对iD的影响(uGSUGS(th))DS间的电位差使沟道呈楔形，uDS?，靠近漏极端的沟道厚度变薄。预夹断(UDS=UGS-UGS(th))：漏极附近反型层消失。预夹断发生之前：uDS?iD?。预夹断发生之后：uDS?iD不变。预夹断后仍然存在iD原因：是由于DS间电场很强，将电子拉过PN结得到。uDS再增大，夹断区变宽。预夹断发生之前，uDS近似与iD成正比因为预夹断发生之前沟道电阻近似为常数uDSuGS?UGS(th)因为预夹断发生之后：uDS的增大几乎全用来克服夹断区的电阻预夹断发生之后，当uDS增大时，iD不变预夹断发生之前，uDS近似与iD成正比uDS≥uGS?UGS(th)3.转移特性曲线2464321uGS/ViD/mAUDS=10VUGS(th)当uGSUGS(th)时，产生反型层导电沟道，iD≠0，且uGS↑，iD↑uGS=2UGS(th)时的iD值开启电压O当uGSUGS(th)时,无导电沟道，iD=0当uDS对iD的影响很小，不同的uDS转移特性曲线基本重合。转移特性曲线方程4.输出特性曲线可变电阻区uDSuGS?UGS(th)预夹断发生之前沟道电阻近似为常数，其大小与沟道的宽窄有关，沟道宽，电阻小。沟道的宽窄受uGS控制，所以沟道电阻是一个受uGS控制的可变电阻。饱和(放大区)uDS?，iD不变uGS控制iD大小，uGS?，iD?。用于放大时，工作在该区。截止区uGS?UGS(th)全夹断iD=0iD/mAuDS/VuGS=2V4V6V8V截止区饱和区可变电阻区放大区恒流区O取不同uG，得到不同的曲线，输出特性是一簇曲线。uDS≥uGS?UGS(th)1.结构、符号与工作原理二、N沟道耗尽型MOSFET二、N沟道耗尽型MOSFET制造时在SiＯ2绝缘层中掺入正离子，故在uGS=0时已形成沟道。改变uGS可控制导电沟道的宽窄，当uGS?UGS(off)时，沟道全夹断。简称NDMOS管1.结构、符号与工作原理制造时在SiＯ2绝缘层中掺入正离子，故在uGS=0时已形成沟道。改变uGS可控制导电沟道的宽窄，当uGS?UGS(off)时，沟道全夹断。栅源电压为零时存在原始导电沟道的场效应管称为耗尽型场效应管；无原始导电沟道，只有在uGS绝对值大于开启电压uGS(th)绝对值后才能形成导电沟道的，称为增强型场效应管。耗尽型场效应管导电沟道全夹断时对应的的栅源电压称为夹断电压（UGS(off)）。二、