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苏州燎塬半导体有限公司电子专用材料项目环境影响报告书

1概述

1.1项目由来

苏州燎塬半导体有限公司成立于2021年7月，注册地址位于苏州市张家港

市凤凰镇凤凰大道14号。经营范围为：电子专用材料研发；电子专用材料制造；

电子专用设备销售；半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设备销售；电子

产品销售；软件开发；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、

技术推广；工业设计服务。目前租用苏州市张家港市凤凰镇凤凰大道14号凤凰

科技创业园F幢6层厂房从事电子专用材料的研发。

第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体，在国际信息产

业技术中的各类分立器件和集成电路、电子信息网络工程等领域得到了极为广泛

的应用。第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化

铟（InSb）、磷化铟（InP），以及三元化合物半导体材料，如铝砷化镓（GaAsAl）、

磷砷化镓（GaAsP）等，主要应用于高速、高频、大功率以及发光电子器件。第

三代半导体材料主要为碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金

刚石、氮化铝（AlN），适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。第四代半

导体材料主要为氧化镓（Ga2O3）、锑化物、砷化铟、镓酸锌等为代表的半导体

材料。

氧化镓外延片通常指的是在衬底材料上生长氧化镓外延结构层，是半导体芯

片的重要原材料，属于第四代半导体材料。氧化镓属于超宽禁带半导体材料，禁

带宽度在4.85eV左右。相较于氮化镓、碳化硅等宽禁带（3.4eV）第三代半导体

材料，其具有“击穿电场强度更强”、“功率损耗更低”等优势。氧化镓可让人们使

用更少的材料制造出具有更高耐压、更强功率处理能力的功率半导体器件，器件

同时可以更薄、更轻。

锑化物半导体在开发下一代的小体积、轻重量、低功耗、低成本器件，及其

要求极为苛刻的应用方面就具有不可替代的独特优势。

砷化铟半导体适用于制造霍尔器件、磁阻器件等。由砷化铟制造而成的霍尔

器件灵敏度高、温度稳定性好，砷化铟霍尔器件的灵敏度低于锑化铟（InSb）霍

尔器件，温度稳定性低于砷化镓（GaAs）霍尔器件，但其灵敏度与温度稳定性

之间平衡性最优；砷化铟磁敏感性优，是除了锑化铟以外制造磁阻器件的重要材

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苏州燎塬半导体有限公司电子专用材料项目环境影响报告书

料。

镓系氧化物半导体材料是一种新型的n型超宽带隙半导体材料，由于其优异

的热稳定性和化学稳定性以及宽带隙（4.4~5eV），该化合物在发光二极管、光

电探测器、光催化、平板显示和生物光学成像、太阳能电池等许多领域的应用均

受到了广泛的关注。

本项目生产的第四代半导体晶片（氧化镓、锑化镓、锑化铟、砷化铟、镓酸

锌）以及第四代半导体氧化镓外延片，是制备高性能电力电子器件、射频电子器

件以及光电器件的关键基础材料。得益于在禁带宽度、击穿电场、饱和速度、热

导率等方面的明显优势，第三代和第四代半导体材料近年来在消费功率电子、5G

通信以及新型显示等领域呈现爆发式增长。预计到2030年，新一代电力电子，

射频电子以及显示应用市场将达到数百亿美元，成为一个重大的战略性新兴产

业。第三代、第四代半导体材料的发展也受到国家政策的重点鼓励和支持，国务

院、国家发改委及工信部等多部委近年来陆续推出多项政策，鼓励企业开展研发

和生产。

氧化镓较碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料具有更加出色的材料特性，在

大功率电子器件和日盲探测器等方面展现出巨大的应用前景。外延生长高质量的

氧化镓薄膜是制备高性能器件的前提与基础。目前报道的氧化镓薄膜的制备技术

(如ALD、MBE、MOCVD等)存在制备成本高、工艺复杂等问题，并且薄膜外

延速度较低，严重阻碍薄膜的大面积、产业化生产，同时也严重制约了其在器件

上的应用。相比之下HVPE技术外延速度快，同时外延薄膜质量较好，且设备

简单，源气体价格相对低廉，因此制备成本相对较低。相比于国外氧化镓材料制

备的发展，国内外延生长氧化镓薄膜仍于研发探索阶段，还没有实现氧化镓材料

的产业化，这种现状严重制约了我国氧化镓材料的应用和相关器件的发展。

氧化镓作为必威体育精装版一代超宽禁带半导体，展现了良好的性能，然而目前，我国

的