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第八章金属和半导体的接触
§８.1金属半导体接触及能级图
1.金属和半导体的功函数
金属中的电子绝大多数所处的能级都
低于体外能级。
金属功函数的定义:真空中静止电子的
能量E与金属的E能量之差，即
0F
.
上式表示一个起始能量等于费米能级
的电子，由金属内部逸出到真空中所
需要的最小值。
E
F
金属中的电子势阱
W越大,金属对电子的束缚越强
m
.
在半导体中，导带底E和价带顶E
CV
一般都比E低几个电子伏特。
0
半导体功函数的定义:真空中静止电子的
能量E与半导体的E能量之差，即
0F
E
0W
sE
C
E
W与杂质浓度有关F
s
E
电子的亲合能V
.
半导体的功函数又写为
2.接触电势差
Ws
(a)接触前
(a)接触前
Ev
.
金属外表负电
半导体外表正电
Vm:金属的电势
V:半导体的电势
s
D
〔b〕间隙很大(D原子间距)
.
平衡时,无电子的净流动.相对于(E),
Fm
半导体的(E)下降了
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