半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第八篇：集成电路静态读写存储器空白详细规范 编制说明.pdf

《半导体器件集成电路第2-8部分：数字集成电

路集成电路静态读/写存储器空白详细规范》

（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1、任务来源

本标准是根据全国集成电路标准化技术委员会（SAC/TC599）(原全国半导体

器件标准化技术委员会)下达的《国家标准修订项目任务书》，对《半导体集成

电路静态读/写存储器空白详细规范》(GB6648-1986)进行修订，计划代号：T-339，此次修订要求等同采用国际电工委员会（IEC）标准

IEC748-2-8:1993（QC790111）《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电

路第8篇-集成电路静态读/写存储器空白详细规范》（英文版），主要承办单位

为中国电子科技集团公司第四十七研究所。

2、制定背景

随着信息时代的到来，网络通信、信息安全和信息家电产品将越来越普及，

而存储器正是所有这些信息产品中必不可少的部件。集成电路产业是近几年国家

大力扶植和重点发展的战略科技领域，是信息产业和人工智能的基础和载体。集

成电路对于我国经济发展和自立自强具有举足轻重的作用，可以说离开高水平、

高质量的以集成电路为代表的高性能电子元器件，工业和国防现代化就是空中楼

阁。2020年国务院发布的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若

干政策》中强调国家大力培育集成电路企业，加强集成电路专业建立。

为适应形势发展的需要，该标准的修订采取等同采用国际标准的方式进行，

以实现与国际标准接轨，促进国际间的交流。该标准的修订，可以为我国存储器

的发展提供更好的支撑。

3、工作过程

2023.12.1-2024.8.31起草阶段；

2024.9.1-2024.11.30征求意见阶段；

2024.12.1-2025.1.31送审阶段；

2025.2.1-2025.3.31报批阶段。

二、国家标准编制原则、主要内容及其确定依据

1、编制原则

此次修订要求等同采用国际电工委员会（IEC）标准IEC60748-2-8:1993（QC

790111）《半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第8篇-集成电路静

态读/写存储器空白详细规范》（英文版）。

我国目前现行标准为GB6648-1986《半导体集成电路静态读/写存储器空白

详细规范》，但该标准制定较早，较国际标准相对内容不够详细，已不适应当前

快速发展的集成电路产业需求。

2、主要内容及其确定依据

本标准规定了数字集成电路静态读/写存储器类详细规范的编制要求，对数

字集成电路静态读/写存储器的质量评价给出了明确的检验方法和内容，确保应

用装备产品的可靠性得到保障。

我国目前现行标准为GB6648-1986《半导体集成电路静态读/写存储器空白

详细规范》，但该标准制定较早，较国际标准相对内容不够详细，已不适应当前

快速发展的集成电路产业需求。通过我所多年存储器研制经验、国家军用标准和

国际标准确定相关参数、筛选程序、质量评定程序等。

3、编制过程中解决的主要问题（做出的贡献）

等同采用国际标准(IEC60748-2-8：1993)对其进行修订，在标准中增加了IEC

前言、筛选程序、质量评定程序、结构相似性程序等。

4、标准前后版本之间技术内容的对比分析

1.增加了“IEC前言”。

2.对引言按IEC60748-2-8进行了修改。

3.第1页，[5]和[6]的表述按IEC60748-2-8进行了修改；删除了GB

6648-1986关于“×”的说明。

4.第2页，简要说明[6]的表述按IEC60748-2-8进行了修改。

5.对全文的章、条排列按IEC60748-2-8进行了重新编排。

6.第4章“极限值”的表述和表格按IEC60748-2-8进行了修改，表格中删

除了关于NMOS、CMOS、双极型器件分别叙述的格式，只采用一个格式。

7.第5章“工作条件”的表述和表格按IEC60748-2-8进行了修改，表格中

删除了关于NMOS、CMOS、双极型器件分别叙述的格式，只采用一个格式。

8.第6章“电特性”的表述和表格按IEC60748-2-8进行了修改，