AGM407MNA VER2.65深圳恒锐丰科技.pdf

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AGM407MNA

●GeneralDescription

TheAGM407MNAcombinesadvancedtrenchMOSFETProductSummary

technologywithalowresistancepackageprovide

extremelylowRDS(ON).DSS

BVSRDONID

Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotection40V5.6mΩ50A

applications.

PDFN5*6PinConfiguration

●Features

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarin

kgandOd

reringInfora

mtion

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AGM407MNAAGM407MNAPDFN5*6330mm12mm3000

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA25℃)

SymbolParameterValueUnit

VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）40V

VGSGate-SourceVoltage(VDS0V)±20V

DrainCurrent-Continuous(Tc25℃)(Note1)50A

DrainCurrent-Conti

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