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半導體三極管;(SemiconductorTransistor);二、電流放大原理;3.三極管內部載流子的傳輸過程;4.三極管的電流分配關係;2.1.2晶體三極管的特性曲線;二、輸出特性;三、溫度對特性曲線的影響;2.1.3晶體三極管的主要參數;三、極限參數;2.2單極型半導體
三極管;引言;一、增強型N溝道MOSFET
(MentalOxideSemi—FET);2.工作原理;2)uDS對iD的影響(uGSUGS(th));3.轉移特性曲線;;三、P溝道MOSFET;2.2.2結型場效應管;2.工作原理;N溝道增強型;2.2.3場效應管的主要參數;4.低頻跨導gm;;引言;基本方法;二、電量的符號表示規則;2.3.1直流分析;二、工程近似分析法;三、電路參數對靜態工作點的影響;iC?0;例2.3.2耗盡型N溝道MOS管,RG=1M?,RS=2k?,RD=12k?,VDD=20V。IDSS=4mA,UGS(off)=–4V,求iD和uO。;2.3.2交流分析;例2.3.3;;基本共發射極
電路的波形:;放大電路的非線性失真問題;2.“Q”过高引起饱和失真;飽和失真的本質:;選擇工作點的原則:;二、小信號等效分析法(微變等效);(2)晶體三極管交流分析;例2.3.4?=100,uS=10sin?t(mV),求疊加在“Q”点上的各交流量。;②交流通路;2.場效應管電路小信號等效電路分析法;例2.3.4
gm=0.65mA/V,ui=20sin?t(mV),求交流輸出uo。;2.4半導體三極管的
測試與應用;2.4.1半導體三極管使用基本知識;二、萬用表檢測晶體三極管的方法;指針式萬用表;數字萬用表;三、晶體三極管的選用;第一部分
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