半导体三极管及放大电路基础课件.pptxVIP

半導體三極管

及放大電路基礎

?Jc反偏3.1.1BJT的結構簡介基區發射區集電區發射極Emitter集電極Collector基極Base1、結構和符號發射結(Je)集電結(Jc)PNPNPN發射載流子(電子)收集載流子(電子)複合部分電子控制傳送比例由結構展開聯想…2、工作原理3、實現條件外部條件 內部條件結構特點：?Je正偏摻雜濃度最高摻雜濃度低於發射區且面積大摻雜濃度遠低於發射區且很薄

*NPNebcecbNPN型BJT(a)管芯結構剖面圖(b)表示符號發射極基極集電極發射區集電區基區

*3.1.2BJT的電流分配與放大原理1.內部載流子的傳輸過程2.電流分配關係4.三極管的三種組態3.放大作用發射結正偏發射區發射載流子基區：傳送和控制載流子集電區收集載流子本質:電流分配5.共射極連接方式集電結反偏

*3.1.2BJT的電流分配與放大原理1.內部載流子的傳輸過程RLecb1k?VEEVCCIBIEICVEB+?vEB放大電路+?iEii+-?vI+?iC+?iB?vO+-io放大作用？（原理）關鍵：?iC與?iE的關係三極管的放大作用是通過載流子傳輸體現出來的。本質：電流分配關係外部條件：發射結正偏，集電結反偏。

*2.電流分配關係根據傳輸過程可知IE=IB+IC (1)IC=InC+ICBO (2)IB=IB’-ICBO (3)定義通常ICICBO則有所以?為共基極電流放大係數，它只與管子的結構尺寸和摻雜濃度有關，與外加電壓無關。一般?=0.9?0.99矽:0.1?A鍺:10?A?IE與IC的關係：

*3.放大作用?vI=20mV?iE=-1mARLecb1k?VEEVCCIBIEICVEB+?vEB放大電路+?iEii+-?vI+?iC+?iB?vO+-io圖3.1.5共基極放大電路?=0.98?iC=??iE?vO=-?iC?RL?vO=0.98V非線性?iC=-0.98mA?iB=-20?A電壓放大倍數Ri=?vI/?iE=20?輸入電阻

*4.三極管（放大電路）的三種組態共集電極接法，集電極作為公共電極，用CC表示;共基極接法，基極作為公共電極，用CB表示。共發射極接法，發射極作為公共電極，用CE表示；如何判斷組態？外部條件：發射結正偏，集電結反偏

5.共射極連接方式問題(1)：如何保證？發射結正偏VBE=VBBVBC=VBE-VCE0問題(2)：信號通路？與共基有何區別？集電結反偏或VCEVBE+?vBE+?iE+?iC+?iB+?iE+?vBE+?vI+?iB+?iC+?vO本質相同！但希望…?vI=20mV?iB=20?A?iC=0.98mA?vO=-0.98VRi=?vI/?iB=1k?放大電路

5.共射極連接方式?IC與IB的關係：由?的定義：即 IC=?IE+ICBO=?(IB+IC)+ICBO整理可得:令：IC=?IB+(1+?)ICBOIC=?IB+ICEO（穿透電流）IC??IB IE=IC+IB?(1+?)IB?是共射極電流放大係數，只與管子的結構尺寸和摻雜濃度有關，與外加電壓無關。一般?1（10～100）ICBO矽:0.1?A鍺:10?A

*綜上所述，三極管的放大作用，主要是依靠它的發射極電流能夠通過基區傳輸，然後到達集電極而實現的。實現這一傳輸過程的兩個條件是：（1）內部條件：發射區雜質濃度最高，基區雜質濃度遠低於發射區且很薄，集電區雜質濃度低於發射區且面積大。（2）外部條件：發射結正向偏置，集電結反向偏置。3.1.2BJT的電流分配與放大原理

*3.1.3BJT的特性曲線vCE=0V+-bce共射極放大電路VBBVCCvBEiCiB+-vCEiB=f(vBE)?vCE=const(2)當vCE≥1V時，vCB=vCE-vBE0，集電結已進入反偏狀態，開始收集電子，基區複合減少，同樣的vBE下IB減小，特性曲線右移。vCE=0VvCE?1V(1)當vCE=0V時，相當於發射結的正向伏安特性曲線。1.輸入特性曲線（以共射極放大電路為例）

*iC=f(vCE)?iB=const2.輸出特性曲線在vCE小於1V時，輸出特性很陡。原因是集電結的反向電壓很小，對到達基區的電子吸引力不夠，這時，iC受vCE的影響很大。當v