单异质结半导体激光器.课件.pptVIP

Singleheterostructurelaserdiode

?在半导体异质结中，如果两种半导体材料的晶格常数相差很大（大于1%），由于晶格失配，在交界面处形成许多缺陷能级，这是一些使发光猝灭的深能级。因而在实际应用中，例如，选作激光二极管的半导体异质结则应是由晶格匹配的两种半导体组成。在晶格匹配的半导体异质结中，两种材料在界面处相互渗透或扩散会形成一层过渡层，过渡层的厚度小于几个原子层的结称为突变结，过渡层大于这一厚度的结则为缓变结，突变异质结是一种理想的情况。

在这种理想的情况下，由于构成异质结的两种半导体材料的禁带宽度、电子亲和势及电容率的差别，在界面处会出现能带的“飞起”、“凹陷”、“尖峰”等现象。安德森提出了这种理想的异质结的能带结构模型，他的研究表明在突变异质结中，由于两种材料的电子亲和势差较强，它大大降低了界面处的电场，因而在导带和价带中出现了较强的尖峰和阶跃，这就使异质结用作发光器件时具有同质结所不具备的优点。

?若p区做得很薄，就可以限制电子在p区内的扩散长度，使电子的复合区域被限制在一个很薄的范围内，大大提高了注入载流子在p区内的浓度，有利于增加载流子复合的几率，提高复合区的光密度。不仅如此，p区发出的光子的能量等于p区禁带宽度，但小于p+区禁带宽度，因此当光子穿过p+区时不会被吸收。这样，p+区就形成了光发射的窗口，p区产生的光很容易透过p+区出射到器件外面。1962年GaAs同质结半导体激光器研制成功，然而只能在液氮温度下脉冲工作，缺乏实用价值。半导体发展史上一个重要突破是1967年利用液相外延的方法制成了单异质结半导体激光器，实现了在室温下脉冲工作，其阈值电流密度比同质结半导体激光器降低了一个数量级。

?早期的研究结果表明，只有构成异质结质的两种材料匹的晶格常数严格匹配时，才能制备出性能良好的激光器件。到1970年，随着多层材料生长技术成熟，又相继研制成功了室温脉冲和室温连续工作的GaAs/GaAlAs异质结激光器，Panish等人研制GaAs双异质结激光器，其阈值电流密度已降到1.6KA/cm2。在异质结结构中，因为有源层与包层是由不同的半导体材料生长而成，两者的折射率差较同质结结构提高了几倍，因此它的光场限制因子增大，光场向外侧渗透的比例就较小，同时由于折射率差大，很薄的有源区足以构成光波导层，有利于形成粒子数反转，便于降低其工作阈值电流密度。另外，由于异质结结构比同质结具有更高的载流子注入效率，理所当然地这种结构的激光器具有更好的器件性能。

?如图1(a)所示，这种单异质结激光器的结构是在GaAs的pn结的P型GaAs一侧上再生长一层P型AlGaAs半导体的三层结构。这三层半导体材料的禁带宽度、折射率并不相同，如图1(b)、(c)所示。在热平衡状态及加正向电压情况下的能带如图1(d)、(e)所示。这种激光器的优点是阈值低，效率高。

?这种激光器的优点是阈值低，效率高。其原因是由于AlGaAs比GaAs具有较宽的禁带宽度和较低的折射率。由于AlGaAs的禁带宽度比GaAs的大，一方面在P型GaAs—AlGaAs异质结处出现了较高的势垒，使从n型GaAs注入到P型GaAs中的电子受到阻碍，不能继续扩散到P型AlGaAs中去；和没有这种势垒存在时比较，p-GaAs层内的电子浓度增大，提高了增益。

?另一方面，P型AlGaAs对来自P型GaAs的发光吸收系数小，损耗就小。而由于AlGaAs的折射率较GaAs的低，因此限制了光子进入到AlGaAs区，使光受反射而局限在P区内，从而减少了周围非受激区对光的吸收。单异质结激光器的阈值电流密度目前一般为(10～15)×103A／cm2，比GaAs同质结激光器的阈值电流密度(10～100)×103A／cm2低。

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