二次作业物理学.pptx

第二次TFT作业刘梓超纯水超纯水，电阻率达到10MΩ*cm（25℃）的水。既将水中的导电介质几乎完全去除，又将水中不离解的胶体物质、气体及有机物均去除至很低程度的水。

掩膜板mask即光罩，光刻时使光照在想要刻蚀的部位从而得到想要的形状。其实体结构是布满积体电路图像的铬金属薄膜的石英玻璃片上的图像。

溅射淀积sputter溅射淀积是在真空环境下，利用荷能离子轰击材料表面，使被轰击出的粒子沉积在机体表面的技术。主要方法有二级溅射，平衡磁控溅射，非平衡磁控溅射和脉冲电源溅射等。

等离子体增强化学气相沉积法PECVD借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).优点：基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂。缺点：1.设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高；2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害；3.对小孔孔径内表面难以涂层等；4.沉积之后产生的尾气不易处理。

物理气相沉积PVD物理气相沉积技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。优点：适合多种材质，涂层多样化，减少工艺时间，提高生产率，较低的土层温度，零件尺寸变形小，对工艺环境无污染。缺点：不同粒子溅射速率不同，因此薄膜组分控制困难，台阶覆盖性差，空隙填充能力差。

常压化学气相沉积APCVD常压化学气相淀积（APCVD）是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法，这是化学气相淀积最初所采用的方法。这种工艺所需的系统简单，反应速度快，但是均匀性较差，台阶覆盖能力差，所以一般用于厚的介质淀积。

低压化学气相淀积LPCVDLPCVD是CVD技术的新发展，LPCVD的原理与APCVD基本相同。主要差别在于低压下气体扩散系数大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加。优点在于：低气压下气态分子平均自由程大，反应装置内可以快速达到浓度均一，消除由气相浓度梯度带来的薄膜不均匀性。薄膜质量高，台阶覆盖良好，结构完整性好，针孔少。卧式LPCVD装片密度高，生产成本低。

金属有机化合物化学气相沉淀MOCVDMOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压下通H2的冷壁石英反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。优点：适用范围广，非常适合生长各种异质结构材料，可以生长超薄外延层，生长易于控制，可以生长纯度很高的材料，外延层大面积均匀性好，可以大规模生产。

台阶覆盖性台阶覆盖性，如右图所示，理想的台阶覆盖是上面那幅图，而实际中的台阶覆盖则是下面那幅图。在台阶各个地方都覆盖均匀即为保形覆盖。台阶覆盖的均匀与否会对半导体集成电路器件性能造成很大影响。

取向层PI取向层又叫配向膜，作用是是给液晶分子一个预倾角。

PVP膜PvP材料是必威体育精装版研制出的一种新型材料，是由PVC(聚氯乙烯)+PP(聚丙烯)材料的合成物，原单独的PVC是有很好的亲水性，也可以做出很精密的工艺。但是其缺点是很脆弱；原单独的PP是具有很好的柔韧性，可是在制成成品的时候很容易变形，使工艺不精湛。PVP材料是经有效的科学配方，集PVC和PP材料为一身，有效利用了PVC的精和PP的柔性，是高分子材料一大创举。