半导体物理学试题及答案.pdf

半导体物理学试题及答案--第1页

半导体物理学试题及答案(总6页)

--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可--

--内页可以根据需求调整合适字体及大小--

半导体物理学试题及答案--第1页

半导体物理学试题及答案--第2页

半导体物理学试题及答案

半导体物理学试题及答案(一)一、选择题1、如

果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以(A)导

电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体

以(E)导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，

则该半导体以(C)导电为主。A、本征B、受主C、

空穴D、施主E、电子2、受主杂质电离后向半导体

提供(B)，施主杂质电离后向半导体提供(C)，本征激

发向半导体提供(A)。A、电子和空穴B、空穴

C、电子3、电子是带(B)电的(E);空穴是带(A)

电的(D)粒子。A、正B、负C、零D、准粒子E、

粒子4、当Au掺入Si中时，它是(B)能级，在半导

体中起的是(D)的作用;当B掺入Si中时，它是(C)能

级，在半导体中起的是(A)的作用。A、受主B、深

C、浅D、复合中心E、陷阱5、MIS结构发生多子积

累时，表面的导电类型与体材料的类型(A)。A、相

同B、不同C、无关6、杂质半导体中的载流子输

运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概

率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是(B)。

A、变大，变小;B、变小，变大;C、变小，变小;D、变

2

半导体物理学试题及答案--第2页

半导体物理学试题及答案--第3页

大，变大。7、砷有效的陷阱中心位置(B)A、

靠近禁带中央B、靠近费米能级8、在热力学温度零

度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为(D)，

当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电

子占据的概率为(A)。A、大于1/2B、小于1/2

C、等于1/2D、等于1E、等于09、如图所示的

P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表(A)，CD

段代表(B)。A、多子积累B、多子耗尽C、

少子反型D、平带状态10、