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集成电路设计概论作业

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北京邮电大学

集成电路设计概论

期末作业

学号：

班级：

姓名：

集成电路设计概论作业

一、基础题

1.说明增强型MOS管和耗尽型MOS管的区别..

答：增强型和耗尽型MOS管的区别如下：

（1）增强型：与衬底间不加电压时;栅极下面没有沟道存在..也就是

说;对于NMOS;阈值电压大于0；PMOS;小于0..

（2）耗尽型：栅极与衬底间不加电压时;栅极下面已有沟道存在..也

就是说;对于NMOS;阈值电压小于0；PMOS;大于0..通过改变有

源区的掺杂浓度;控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极

材料;可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET..

2.分析MOS管从耗尽到反型的变化过程..

答：MOS管从耗尽到反型的变化过程如下：当VGS数值较小;吸引电

子能力不强时;漏源极之间仍无导电沟道出现;当VGS增加时;吸引到P衬

底表面的电子就增多;当VGS达到某一个数值时;这些电子在栅极附近的P

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衬底表面便形成一个N型薄层;且与两个N+区相连通;在漏源之间形成N

型导电沟道;其导电类型与P衬底相反;故称为反型层..VGS越大;作用于

半导体表面的电场就越强;吸引到P衬底表面的电子就越多;导电沟道越

厚;沟道电阻越小..

随着VDS的增大;靠近漏极沟道越来越薄;当VDS增加到VDS=VGS-VT

时;沟道在漏极一端出现预夹断..继续增大VDS;夹断点向源极方向移动;

由于VDS的增加部分几乎全部降落在夹断区;故ID几乎不随VDS增大而

增加;管子进入饱和区;ＩＤ几乎由VGS确定..

3.如何求放大器的输入电阻如何求输出电阻

答：输入电阻大小代表向前一级索取能量的能力;对于激励为电压源;

输入电阻大索取的电压的能力就越强；对于激励为电流源;则输入电阻越

小索取的电流的能力就越强..所以输入电阻的大小得分清是什么激励;激

励为电压源输入电阻越大越好；对激励为电流源;输入电阻越小越好..利

用诺顿定理、或者戴维宁定理就可以求出..开路电压除以短路电流即可..

输出电阻大小决定了带负载的能力;对于输出为电压信号;输出电阻

越小;负载变化对输出影响越小；对于输出电流信号;输出电阻越大越好;

负载变化对电流影响较小..输出电阻有两种方法可以求解：

1：根据戴维南定理..

1、将信号源Es短路如果信号源是电流源则应该开路即Es=0Is=0..

2、将负载阻抗开路;即ZL=infinite;然后在放大器的输出端加信号

电压V0;产生输出电阻为r0=v0/I0.

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2:在放大器等效电路中将受控源等效成电阻阻抗从而迅速的求出输

出电阻

在电子线路中;一般均含有受控源;如能将受控