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刻蚀培训硅PN结太阳电池基本结构晶体硅太阳电池生产流程硅料的冶炼、提纯、切片扩散清洗干燥制绒刻蚀PECVD印刷烧结测试分档去磷硅玻璃电池片主要内容一:刻蚀的目的二:刻蚀的原理三:RENA刻蚀机结构四:合格品标准及操作规范五:化学品安全与急救措施一:刻蚀的目的刻蚀的目的:去除硅片边缘（或边缘加背面）的扩散层，防止电池正面和背面短路。硅片--------++++++++++刻蚀前刻蚀后硅片--------+++++++++等效作用刻蚀的作用就相当于将正极、负极间的导线掐断,将短路变成为断路。正极负极导线正极负极刻蚀前:刻蚀后:用电器二:刻蚀的原理刻蚀反应分成几步:硝酸/亚硝酸（HNO2）将硅氧化成二氧化硅（主要是亚硝酸将硅氧化）。二氧化硅和氢氟酸反应（快反应），生成四氟化硅和水（快反应），四氟化硅又和水化合成氟硅酸进入溶液硫酸不参与反应，仅仅是增加氢离子浓度，加快反应，增加溶液黏度（增大溶液与PSG薄层间的界面张力）和溶液密度。第一步,硅被硝酸氧化1,慢反应Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2OSi+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O2,快反应2NO2+H2O=HNO2+HNO3Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O4HNO3+NO+H2O=6HNO2第二步:二氧化硅被氢氟酸溶解SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6总反应SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O三:RENA刻蚀机结构“一化一水”,硅片每经过一次化学品,都会经过一次水喷淋清洗。除刻蚀槽和第一道水喷淋之间,其它的槽和槽之间都有吹液风刀。除刻蚀槽外,其它化学槽和水槽都是喷淋结构,去PSG氢氟酸槽是喷淋结构,而且片子进入到溶液内部。最后一道水喷淋（第三道水喷淋）由于要将所有化学品全部洗掉,所以水压最大。相应的,最后的吹干风刀气压最大。上片刻蚀槽H2SO4/HNO3/HF水喷淋碱洗槽NaOH水喷淋去PSG槽HF水喷淋下片吹干风刀RENA外观图上料台下料台刻蚀槽的结构:刻蚀液储备槽冷却塔1:刻蚀槽2.碱槽/HF槽

喷淋风刀循环泵小储备桶刻蚀槽储备槽里的溶液在进入刻蚀槽前先要经过冷却达到设定温度,冷却液是由外围进来的city-water进入制冷机冷却的。碱槽温度是由外围提供的cooling-water直接冷却的。刻蚀槽、碱槽温度的控制3.1合格品标准a.刻蚀深度:0.8-1.2umb.边缘电阻:千欧级c.外观无发黄，边缘发黑等d.沾液良好、无明显爬液（3mm）通过过检测量通过生产、工艺人员观察四.合格品标准及操作规范操作规范要求:严格遵循生产作业指导书生产，未经工艺允许不得私自更改任何工艺参数。要点:1.生产过程中下料台带速≥刻蚀槽带速≥上料台带速；2.不生产时打回手动状态，碱槽打起循环，所有滚轮开启状态，带速调整为0.5-0.6m/s即可。刻蚀槽碎片、叠片处理刻蚀槽碎片:第一时间停止上料台投料，及时通知设备组人员，当碎片比较大时，一定要将碎片取出，方可继续投料。大片的碎片沉底，也需要及时清理和关注，否则沉底的碎片会因为反应而重新浮起至液面，造成赌片、叠片；刻蚀槽叠片:第一时间停止上料台投料，及时通知设备组和工艺组人员，打回手动状态把里面的片子尽量走出，同时将刻蚀槽液打回储备槽，等设备人员将硅片全取出，确认可继续生产，方可生产；因外围排风停止引起的刻蚀槽液自动打回储备槽:此情况一般伴有大量黄烟从刻蚀槽涌出，第一处理为人员疏散，同时通知扩散间的其他员工，待外围排风恢复之后，再在工艺安排下进行事故处理。操作过程中的注意事项生产过程中禁止往刻蚀槽中添加任何物质。刻蚀槽是整个RENA的心脏,刻蚀槽的溶液必须保持稳定,在生产操作过程中切不可往刻蚀槽中扔杂物,即使往刻蚀槽中加入很纯净的水,对刻蚀槽溶液也是致命的损害；对硅片的刻蚀效果密切关注。我们生产员工是和RENA接触最密切的人员,生产过程中除了关注碎片、产量之外,还需要关注硅片的不沾液、爬液、外观、下料处是否带水等等细节,若有异常,需及时向工艺人员反馈。R