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半导体常用缩写
半导体常用缩写词汇汇总
EPI外延PM设备维护与保养
PCW工艺冷却水PMC生产计划与物料控制
PLC可编程序控制控制器
H2氢气Sb锑
N2氮气As砷
SiHCl3（TCS）三氯氢硅B硼
PH3磷烷CMOS互补金属氧化物半导体
HCl氯化氢CMP化学机械抛光
Hg汞（水银）ESD静电释放
HNO3硝酸H2O2双氧水
HF氢氟酸MOS金属氧化物半导体
SPC统计过程控制PCM工艺控制监测
MRB异常评审委员会PCN工艺变更通知单
CAB变更评审委员会ECN工程变更通知单
OCAP失效控制计划。指制程过程中失控时所应采取的对应措施。
是一种受控文件，包含造成异常的因素等
PSG磷硅玻璃
TF薄膜PVD物理气相淀积
PHO光刻PCB印刷电路板
DIF扩散RF射频
II注入UV紫外线
CVD化学气相淀积VPE气相外延
SPV扩散长度Bubbler鼓泡器
CD关键尺寸EMO设备紧急按钮
CD-SEM线宽扫描电镜ScrubbLer尾气处理器
ETCH刻蚀（腐蚀）Coat包硅
H2-BAKE氢气烘烤SRP外延层纵向电阻率分布
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1号液：（NH4OH:H2O2：H2O）NH4OH:H2O2:H2O=1:
2:7，
2号液：（HCl：H2O2：H2O）HCl:H2O2:H2O=1:2:5
3号液（Caros清洗液）：(H2SO4:H2O2)H2SO4:H2O2=3:1，
4#号液:H2O:HF=10:1
CV：电容-电压测试
BOE混酸：氟化铵氢氟酸混合腐蚀液液
CZ：切克劳斯基直拉法Wafer：抛光片
FZ：区熔方法THK：膜厚
Rs：电阻TTV:总厚度偏差
TIR：平整度STIR：局部平整度
LTO：背封BOW:弯曲度
CHIP:崩边SLIP：滑移线
MARK:痕迹WARP：翘曲度
CRACK:裂纹SPOT:斑点
HAZE：发雾CROWN：皇冠，边缘突起物
OISF:氧化诱生层错ORG:掺As单晶抛光片O2含量径向均匀性
OSF：氧化层错BMV：气体流量控制阀
LIFETIME：寿命POINTDEFECT:点缺陷
Integratedcircuit：集成电路epitaxiallayer：外延层
Buriedlayer：埋层interface：界面
Diameter：直径chemicalvaporpolish化学气相抛光
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