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第一章常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。（?）

???（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（?）

（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（?）

（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）

?（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（?）

???（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（?）

解：（1）√??（2）×??（3）√??（4）×??（5）√??（6）×

????二、选择正确答案填入空内。

???（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将????。

??????????A.变窄??????B.基本不变?????C.变宽

???（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是????。

??????????A.?ISeU??????B.???????C.

???（3）稳压管的稳压区是其工作在????。

??????????A.正向导通???B.反向截止?????C.反向击穿

???（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为????。

??????????A.前者反偏、后者也反偏??????????B.前者正偏、后者反偏

??????????C.前者正偏、后者也正偏

???（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有????。

??????????A.结型管?B.增强型MOS管??C.耗尽型MOS管

???解：（1）A??（2）C??（3）C??（4）B??（5）A?C

????三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝。

?

?解：UO1≈，UO2＝0，UO3≈－，UO4≈2V，UO5≈，UO6≈－2V。

?四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

???解：UO1＝6V，UO2＝5V。

?五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。

?解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。

????六、电路如图所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝。试问：

???（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？

???（2）若T临界饱和，则Rb≈？

???解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为

?????μA

??????

?所以输出电压UO＝UCE＝2V。???????????????????

（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝，所以????????

????????????????????

七．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。

表

管?号

UGS（th）/V

US/V

UG/V

UD/V

工作状态

T1

4

－5

1

3

?

T2

－4

3

3

10

?

T3

－4

6

0

5

?

?解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表所示。

?

解表

管?号

UGS（th）/V

US/V

UG/V

UD/V

工作状态

T1

4

－5

1

3

恒流区

T2

－4

3

3

10

截止区

T3

－4

6

0

5

可变电阻区

?习????题

选择合适答案填入空内。

???（1）在本征半导体中加入???元素可形成N型半导体，加入???元素可形成P型半导体。?????????A.五价????????B.四价???????C.三价

（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将????。?

A.增大?B.不变???????C.减小

???（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为???????。

?????????A.83??????????B.91??????????C.100

???（4）当场效应管的漏