TCASAS046-碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法.pdf

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS046—202X（征求意见稿）

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）动态栅偏试验方法

Dynamicgatestresstestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide-

semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS046—202X（征求意见稿）

目次

前言II

引言III

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4试验电路2

5试验程序2

试验流程2

样品选择3

初始值测量3

试验条件3

应力波形3

中间测量或终点测量5

6失效判据5

7试验报告5

附录A（资料性）SiCMOSFET动态反偏试验记录表6

参考文献7

I

T/CASAS046—202X（征求意见稿）

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）制定发布，版权归CASA所有，未经CASA许可

不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASA允许；任何单位或个人引用本文件的

内容需指明本文件的标准号。

本文件主要起草单位：

本文件主要起草人：

II

T/CASAS046—202X（征求意见稿）

引言

碳化硅(SiC)基功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)具有击穿电压高、导通电流大、开

关速度快、功率损耗小、高温稳定性好、驱动简单等优点，被认为是最具前景的功率半导体器件之一，

它具有能够大幅提高现有电力系统的功率密度、效率、高温工作能力以及抗辐射的能力，与此同时还降

低了系统的体积和重量，因此在电力电子、光伏发电、新能源等领域，都具有非常广阔的应用前景。SiC

MOSFET在各类动态过程中会出现各类物理变化的迟滞，从而发生由于内部结构与外电路的不匹配，或内

部各结构之