GBT-半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测标.pdf

ICS31.08.99

CCSL90

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX.3—/IEC63068-3:2020

`

半导体器件

功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损

检测识别判据

第3部分：缺陷的光致发光检测方法

Semiconductordevice-Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsilicon

carbidehomoepitaxialwaferforpowerdevices

Part3Testmethodfordefectsusingphotoluminescence

：

(IEC63068-3:2020，IDT)

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

GB/TXXXXX.3—/IEC63068-3:2020

目次

前言II

引言III

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4光致发光法5

4.1概述5

4.2原理6

4.3测试条件6

4.4参数设置9

4.5步骤9

4.6评估9

4.7精度10

4.8测试报告10

附录A（资料性）缺陷的光致发光图像11

A.1概述11

A.2BPD11

A.3堆垛层错12

A.4延伸堆垛层错13

A.5复合堆垛层错14

A.6多型包裹体15

附录B（资料性）缺陷的光致发光谱16

A.1概述16

A.2BPD16

A.3堆垛层错17

A.4延伸堆垛层错20

A.5复合堆垛层错21

A.6多型包裹体22

参考文献23

I

GB/TXXXXX.3—/IEC63068-3:2020

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件是GB/TXXXX《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据》的第3

部分。GB/TXXXX已经发布了以下部分：

——第1部分：缺陷分类；

——第2部分：缺陷的光学检测方法；

——第3部分：缺陷的光致发光检测方法。

本文件等同采用IEC63068-3:2020《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识

别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布结构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）归口。

本文件起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所

本文件主要起草人：

II