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AlGaN/GaN异质结二极管的CV特性研究
摘要
近年来，随着社会的迅速发展，顺应信息化时代的的需要，各种学术机构和研究院所对半导体研究的步入新的阶段，被公认为第三代半导体材料的杰出代表氮化镓(GaN)，其研究和应用始终属于当前世界半导体行业的热点。AlGaN/GaN异质结构系列拥有着耐高温，耐强酸，高迁移率，临界击穿电场强等优点，正在被更多的机构和厂商所研究开发并具有广泛的应用前景。但是，AlGaN/GaN异质结构系列同样具备某些尚未解决，诸如电流崩塌效应，AlGaN/GaN异质结构的击穿电压与理论相差较大。本次论文主要研究AlGa
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