半导体存储器原理实验报告.pdfVIP

_管理_学院__信息管理与信息系统_专业_2_班______组、学号

3109005713___姓名_吴兴平____协作者_林敬然__________

教师评定_____________

半导体存储器原理实验

1.实验目的与要求

：

实验目的：(1)掌握静态存储器的工作特性及使用方法。(2)掌握半导体随机存储器如何存储

和读取数据。

实验要求：按练习一和练习二的要求完成相应的操作，并填写表2.1各控制端的状态及记录

表2.2的写入和读出操作过程。

2.实验方案：

(1)使用了一片6116静态RAM（2048×8位），但地址端A8-A10脚接地，因此实际上存储

容量为256字节。存储器的数据线D7-D0接至数据总线。

(2)使用一片8位的74LS273作为地址寄存器（AR），地址寄存器的输出端接存储器6116

的地址线A7-A0,所以存储单元的地址由地址存储器AR提供。

(3)数据开关（INPUTDEVICE）用来设置地址和数据，它经过一个三态门74LS245与数据

总线相连，分别给出地址和数据。

(4)地址显示灯AD7-AD0与6116地址线相连，用来显示存储单元的地址，数据总线上的显

示灯B7-B0用来显示写入存储单元的数据或从存储单元读出的数据。

(5)存储器有三个控制信号：CE片选信号、OE读命令信号、WE写信号。当片选信号CE＝

0时，RAM被选中，可以进行读/写操作;当CE＝1时，RAM未被选中，不能进行读/写操作。

读命令信号OE在本实验中已固定接地，在此情况下，当CE＝0，WE=1时，存储器进行写

操作，当CE=0，WE=0时，存储器进行读操作。

(6)LDAR是地址存储器AR存数控制信号。

(7)按图连接好实验电路，检查无误后通电。

(8)将表2.2的地址和内容转化为二进制。

(9)参考以上操作，向存储器单元里先写第一个单元的地址、然后向第一个地址，再写第二

个地址，然后向第二个地址单元写内容，就这样不断循环操作，直到做完。

3.实验结果和数据处理：

(1)填写表2.1各控制端的状态。如下图所示：

表2.1

控制信号写地址写内容读内容

SW-B001

LDAR100

CE100

WE0/110

(2)记录表2.2的写入和读出操作过程。

向存储器的00H，01H，02H，03H，04H，05H，06H地址单元分别写入数据AAH，55H，

33H，44H，66H，08H，F0H（十六进制），如表所示：

地址（十六进制）内容（十六进制）

00AA

0155

0233

0344

0466

0508

06F0

1）设置输入控制端的开关状态：将实验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7—D0

设置为

2）写地址操作。SW-B=0,LDAR=1,CE=1,WE=0/1,设置好各类数据后，按一下微动开关

START即可。最后，关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。完成写地址操作。

3）写内容操作。SW-B=0,LDAR=0,CE=0,WE=1,输入好各项数据后，按一下微动开关

START即可。最后，关闭片选信号和写命令信号：CE=1,WE=0。存储器写命令操作完毕。

4）读内容操作。首先完成写地址操作（参照（2）），再做读内容操作。读内容操作：SW-B=1,

LDAR=0,CE=0,WE=0。不需要脉冲，即不要按微动开关START。此时地址的内容通过”BU