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第一章
晶 体 二 极 管;晶体二极管;1.1 半导体物理基础知识;1.1.1本征半导体
对于半导体中常用的硅和锗，它们原子的最外层电子都是4个，即有4个价电子。;它们称为单晶，是制造半导体的基本材料。
本征半导体——化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到
99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。;二、本征激发和复合;本征半导体的导电机理
自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。;本征半导体中电流由两部分组成：;1.1.2 杂质半导体;半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。;二、P型半导体;三、多子和少子热平衡浓度;N型半导体:;1.1.3 两种导电机理—漂移和扩散;1.2 PN结;多子扩散和复合导致紧靠交界面两侧的区域内留下了杂质离子，其中P侧为带负电荷的受主离子；N侧为带正电荷的施主离子，而且两侧的正负离子电;三、阻挡层宽度;一、PN结正向特性;二、PN结反向特性;三、伏安特性;1.2.3 PN结的击穿特性;三、稳压二极管;1.2.4 PN结的温度特性;二、击穿电压的温度特性;1.2.5 PN结的电容特性;二、扩散电容;1.2.6 PN结的开关特性;二、开关特性的非理想性;1.3 晶体二极管的分析方法;三、等效电路模型;2.小信号电路模型;1.3.2 晶体二极管电路分析方法
一、图解分析法;1.直流分析
令VDD??，相应的V和I都为?，方程组简化为;2.交流分析
在(VDD＋ VDD?的作用下，管外电路方程代表的负载线是一组斜率为－??R、且随VDD变化而平行移动的直线。若设VDD?Vmsin t，负载线将随着t的变化而平行移动，这些负载线和二极管伏安特性曲线的交点也呈现正弦变化，而交点对应的电压和电流就是t取不同值时得到的二极管上的响应，即为所求。;二、等效电路分析法;2.交流分析;1.4 晶体二极管的应用;二、稳压电路;1.4.2 限幅与钳位电路;二、钳位电路;1.4.3 二极管与门、或门
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