SJ∕T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法.docx

ICS31.080L54

备案号：50541-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2214—2015

代替SJ/T2214.1～SJ/T2214.10—1982

半导体光电二极管和光电晶体管测试方法

Measuringmethodsforsemiconductorphotodiodeandphototransistor

2015-04-30发布2015-10-01实施

中华人民共和国工业和信息化部

发布

I

SJ/T2214—2015

目次

前言 II

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

3.1半导体光电二极管 1

3.2半导体光电晶体管 2

3.3半导体光电二极管和光电晶体管 3

4一般要求 3

4.1总则 3

4.2测试仪器/仪表 3

4.3电源 4

4.4测试环境条件 4

5详细要求 4

5.1半导体光电二极管正向电压 4

5.2半导体光电二极管暗电流 5

5.3半导体光电二极管反向击穿电压 6

5.4半导体光电二极管结电容 7

5.5半导体光电二极管阵列串扰 8

5.6半导体光电二极管反向击穿电压温度系数 11

5.7半导体光电二极管响应度 12

5.8半导体光电二极管阵列单元内响应度非均匀性 13

5.9半导体光电二极管阵列单元间响应度非均匀性 14

5.10半导体光电晶体管集电极-发射极击穿电压 15

5.11半导体光电晶体管饱和压降 16

5.12半导体光电晶体管暗电流 17

5.13半导体光电二极管/光电品体管上升和下降时间 18

5.14半导体光电二极管/光电晶体管光电流 20

II

SJ/T2214—2015

前言

本标准代替SJ/T2214.1～2214.10—1982。本标准在SJ/T2214.1～2214.10—1982的基础上除格式

修改外主要变化如下：

——增加了术语和定义(见第3章);

——增加了半导体光电二极管阵列串扰(直流、交流)的测试方法(见5.5);——增加了半导体光电二极管反向击穿电压温度系数的测试方法(见5.6);

——增加了半导体光电二极管响应度的测试方法(见.7)

——增加了半导体光中二极管阵列单元内响应度非均匀性的测试方法(见5.8);——增加了半导体光电二板管阵列单元间响应度非均匀性的测试方法(见5.9);

——将原标准名称更改为半导体光电二极管和光电晶体管测试方法。本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本标准起草单位，中国电子科技集团公司第四十四研究所。本标准主要起草人：郭萍、王波、崔大健。

本标准的历次版本发布情况为：—SJ2214.-l982;

——SJ214.2-1982;——SJ2214.3-1982;——SJ22144[982;—sJ221451982;——SJ224.821982;——SJ2214H1982

——SJ2214.8—1982

—SJ2214.9-1982;

——SJ2214.10—1982。

1

SJ/T2214—2015

半导体光电二极管和光电晶体管测试方法

1范围

本标准规定了半导体光电二极管和光电晶体管(以下简称“器件”)光电参数的测试方法。

本标准适用于半导体光电二极管和光电晶体管光电参数的测试。本标准不适用PIN、雪崩光电二极管的测试。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2421.1—2008电工电子产品环境试验概述和指南GB/T11499—2001半导体分立器件文字符号

3术语和定义

3.1半导体光电二极管

3.1.1

正向电压forwardvoltage

VF

无光照并通过器件的正向电流为规定值时，正负极间产生的电压降。

3.1.2

暗电流darkcurrent

IR(D)

无光照并在器件两端施加