常用半导体器件三极管讲解课件.pptVIP

模拟电子技术基础信息科学与工程学院·基础电子教研室

内容回顾半导体二极管：1、二极管的符号：DD1–3-2

I2、伏安特性死区电压：二极管截止导通压降:二极管导通反向击穿电压UBR反向电压U二极管非工作区反向截止正正向向截导止通二极管的工作区1–3-3

3、二极管的主要参数1.最大整流电流IF2.最高反向工作电压UR4、二极管的等效电路5、稳压二极管及应用1）稳压管符号1–3-4

2）稳压管的伏安特性曲线1–3-5

3）稳压管的主要参数:①稳定电压UZ②稳压电流IZ③额定功耗PZM4）稳压管的稳压条件:（1）必须工作在反向击穿状态；（2）流过稳压管的电流在I和I之间。ZZM1–3-6

§1.3双极型晶体管（又称为三极管、晶体管）1–3-7

§1.3双极型晶体管一、晶体管的结构和类型1、晶体管结构：三层半导体、两个PN结、引出三个极，构成晶体管。

发射区基区集电区ce集电极发射极发射结b基极集电结发射极箭头的方向为电流的方向NPN型

集电极cPNP型PbN基极Pe发射极1–3-10

ceceNPPNbbNPPNP型NPN型141–3-11

2、晶体管的内部结构特点（晶体管具有电流放大作用的内部条件）1）集电区与发射区的半导体类型相同。但是集电区的半导体掺杂浓度低，几何尺寸大；而发射区的半导体掺杂浓度高，几何尺寸小。2）基极很薄而且掺杂浓度低。正是晶体管这些内部结构特点，使得晶体管工作时载流子遵循一定的分配原则，具有了电流放大作用。1–3-12

3、晶体管的类型：1）按结构分：NPN、PNP型晶体管；2）按组成材料分：硅晶体管、锗晶体管；3）按功率分：小功率管、大功率管；4）按频率分：高频率管、中频率管、低频率管。1–3-13

二、晶体管的电流放大作用放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件，它能够控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真的放大输出，放大的对象是变化量。**1、晶体管工作在放大状态的外部条件：①发射结正向偏置；②集电结反向偏置。晶体管的放大作用表现为：小的基极电流可以控制大共射放大电路的集电极电流。1–3-14

2、晶体管内部载流子的运动(三个极电流的形成）I1）发射结加正向电压，C扩散运动形成发射极电流IEN2）扩散到基区的自由IB电子与空穴的复合形P成基极电流IB3）集电结加反向电压，N漂移运动形成集电极电流ICIE1–3-15

3、晶体管的三个极电流分配原则及关系IC1）根据电路的节点定律：IBIE1–3-16

3、晶体管的三个极电流分配原则及关系2）根据晶体管内部结构形成的电流分配原则：ICIB共射直流电流放大系数，取值范围在20~200之间。IE1–3-17

3、晶体管的三个极电流分配原则及关系IC3）根据以上电流关系：IB由于基极电流I集电极I；BC或：IE1–3-18

**晶体管三个极电流关系：ICIBIEICIBIE1–3-19

通常有两种电流放大系数：------共射直流电流放大系数------共射交流电流放大系数一般认为：1–3-20

I三、晶体管的共射特性曲线CmAIBRC?AVCC++RUVVUCEBBE--V实验线路BB1–3-21

1.输入特性（晶体管i与u的关系曲线）BBEiB(?A)8060uCE≥1V时对应的特性曲线工作压降：硅管U?0.6~0.7V,死区电压：硅管0~0.5V，锗管0~0.2V。4020BE锗管U?0.2~0.3V。BEu(V)BE0.51.0晶体管的输入特性曲线与二极管的正向特性曲线基本一致，u≥1V以后特性曲线基本稳定。CE1–3-22

2.输出特性(晶体管i与u的关系曲线）CCEiC(mA)i只与i有关，100?A此区域满足4i=?i称为CBi=?i。CB80?ACB线性区（放360?A40?A大区:发射结正偏，集电2结反偏）。120?AIB=03612u(V)9CE1–3-23

iC(mA)此区域中U?U,1C0E0?ABE发射结、集电结正偏，4380?A?饱和区。iiU?0.3V称为BC，CE60?A2140?A20?AIB=03612u(V)9CE饱和电压UCES1–3-24

iC(mA)此区域中:I=0,I=I,100?ABCCEO43U死区电压，称为截BE80?A止区：发射结、集电结反向偏置。60?A2140?A20?AIB=03612u(V)9CE穿透电流ICEO1–3-25

**输出特性三个区域的特点: