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数字CMOS集成电路设计基础
3.1.2互连参数——电阻和电感
3.1.2互连参数——电阻和电感
导线电阻
矩形导体的电阻可以表示成：
对于给定的工艺H是一个常数，所以可以写成：
式中，
为材料的薄层电阻，其单位为Ω/□，一条导
线的电阻只需将薄层电阻乘以该导线的L/W比。
3.1.2互连参数——电阻和电感
趋肤效应：
ሶ
趋肤深度：=
磁导率，真空磁导率：4π*10e-7,unit:H/m
信号频率
δ
高频单位长度电阻：=
2+
H
趋肤深度为最大尺寸一半时对应的频率：
4ρ
=
Wsmax,2
3.1.2互连参数——电阻和电感
例4.3趋肤效应和铝导线
4ρ
=
smax,2
趋肤效应是对较宽导线才有的问题。
时钟线往往传送一个芯片上最高频率的信号；
时钟线通常相当宽以限制电阻。
因此趋肤效应多半首先影响这些时钟线。
另外，铜这样的良导体会使较低频率时就发生趋肤
效应。
趋肤效应引起的电阻增加与频率及导线宽度的关系
3.1.2互连参数——电阻和电感
多晶硅化物(polycide)
先进的工艺也提供硅化的多晶和扩散层。硅化
物最常用的形态是多晶硅化物，典型的多晶硅化物
由底层的多晶硅和上面覆盖的硅化物组成，它结合
了这两种材料最佳的性质——良好的附着力和覆盖
性（来自多晶）以及高导电性（来自硅化物）。硅
化的栅具有栅电阻较小的优点。同样，硅化的源和
漏区将降低器件的源漏电阻。
接触电阻(contactresistance)
布线层之间的转接将给导线带来额外的电阻，称为接触电阻，因此优先考虑的布
线策略是尽可能地使信号线保持在同一层上，并避免过多的接触或通孔。使接触孔较
大可以降低接触电阻，但是，电流往往集中在一个较大接触孔的周边，这一效应称为
电流聚集，它在实际中将限制接触孔的最大尺寸。
3.1.2互连参数——电阻和电感
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