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提供了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括源极层、半导体层和漏极层，在基底上沿第一水平方向布置，半导体层包括半导体突起结构；单元电容器，在基底上沿第一水平方向延伸，并且包括上电极层、电容器介电膜和连接到漏极层的下电极层；位线，在基底上沿竖直方向延伸并且连接到源极层；以及栅极结构，覆盖半导体突起结构并且包括在半导体突起结构上的栅极介电膜和在栅极介电膜上的栅电极膜。半导体突起结构的面对漏极层的端部部分的第一厚度的值大于半导体突起结构的面对源极层的另一端部部分的第二厚度的值。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118102713A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202311444893.4
(22)申请日2023.11.01
(30)优先权数据
10-2022-0160679
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