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本发明公开一种可调制场强的HEMT结构及其制备方法，包括：在衬底上依次生长源极和漏极、栅介质层以及栅极，且所述栅极设置于所述源极和漏极之间；在所述栅极以及栅介质层上形成栅场板下介质层；通过半色调掩膜板以预设刻蚀厚度和预设刻蚀坡度对所述栅场板下介质层上的预设位置进行蚀刻，形成至少一个位于所述漏极与栅极之间的第一蚀刻井；通过场板金属镀膜法在所述第一蚀刻井上形成金属层；在所述栅场板下介质层以及金属层上形成钝化层，得到高电子迁移率晶体管。实现对栅极边缘不同的位置的场强强度控制；同时，由于仅采用一层场板，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118098964A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410153016.X
(22)申请日2024.02.02
(71)申请人福建省福联集成电路有限公司
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