- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种液相外延法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置,在碳源料仓内放置碳源,在生长仓内放置硅源,将籽晶贴附于籽晶轴一端处并伸入到生长仓内,加热碳源料仓使碳源升华产生气态单质碳,加热生长仓使硅源形成熔融态,将气态单质碳传输至生长仓内与熔融态硅源反应形成具有过饱和区的生长溶液,通过移动籽晶轴控制籽晶浸入生长溶液的过饱和区中进行长晶。本发明的制备方法能够将充足的气态单质碳输送至生长仓,保证生长仓中始终有充足的碳源,使得生长仓中的原料始终保持相同的碳浓度,从而使生长仓中的溶液组分保持均匀性,提高碳源
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118087029A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410308992.8
(22)申请日2024.03.18
(71)申请人厦门福纳新材料科
文档评论(0)