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集成电路(IC)结构包括半导体衬底中的V形腔。源极区域和漏极区域在V形腔的相对侧上。栅极结构包括栅极介电层、间隔物、以及在间隔物之间的栅极介电层上的栅极电极。该栅极结构完全在V形腔内。IC结构提供了开关，其作为低噪声放大器的一部分具有有利的应用。与平面器件或没有完全在V形腔内的栅极结构的器件相比，IC结构提供了更小的栅极宽度、减小的电容、增加的增益和增加的射频(RF)性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099195A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202311390839.6H01L29/78(2006.01)
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