半导体器件.pdfVIP

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根据本公开的第一示例,提出了一种半导体器件,其包括掺杂有第一类型载流子的第一层和第三层;掺杂有不同于第一类型载流子的第二类型载流子的第二层和第四层;与第一层电连接的输入端子和与第四层电连接的输出端子。第一、第二和第三层形成第一BJT;第二、第三和第四层形成第二BJT。提供电连接第二层与第三层的结元件。第三层包括邻接第二层的高掺杂区。电结元件用作每个BJT的两个基极触点之间的短路件。它将触发电压降低到两个正向偏置二极管的等效电压。器件被触发时,第一与第二层之间及第四与第三层之间的两个发射极基极结同

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118099156A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202311580983.6

(22)申请日2023.11.24

(30)优先权数据

02022

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