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本申请涉及集成电路领域,公开了一种存储阵列读操作方法及读电路,包括当写电路对存储阵列中位元进行第一写操作并施加读电流,获得与位元连接的位线的第一电压;当对位元进行第二写操作并施加读电流,获得与位元连接的位线的第二电压;第一写操作和第二写操作一个为写成平行态操作,另一个为写成反平行态操作;根据第一电压和第二电压获得第三电压,位元处于击穿态和未击穿态下的第三电压的差值大于目标差值,目标差值为位元处于平行态和击穿态,施加相同读电流时电压的差值;通过灵敏放大器比较第三电压与读参考电压的大小,输出与位元对
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118072780A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202211475810.3
(22)申请日2022.11.23
(71)申请人浙江驰拓科技有限公司
地址311
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