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GOFORDG7P03S
P-ChannelTrenchMOSFET
Description
TheG7P03Susesadvancedtrenchtechnologytoprovide
excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide
varietyofapplications.
GeneralFeatures
Schematicdiagram
⚫VDS-30V
⚫ID(atVGS=-10V)-9A
⚫RDS(ON)(atVGS=-10V)22mΩ
⚫RDS(ON)(atVGS=-4.5V)33mΩ
⚫100%AvalancheTested
⚫RoHSCompliant
Application
Markingandpinassignment
⚫Powerswitch
⚫DC/DCconverters
SOP-8
DevicePackageMarkingPackaging
G7P03SSOP-8G7P034000pcs/Reel
AbsoluteMaximumRatingsTC=25ºC,unlessotherwisenoted
ParameterSymbolValueUnit
Drain-SourceVoltageVDS-30V
ContinuousDrainCurrentID-9A
PulsedDrainCurrent(note1)IDM-36A
Gate-SourceVoltageVGS±20V
PowerDissipationPD2.7W
SinglePulseAvalancheEnergy(note3)
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