GOFORD-G80P03K深圳恒锐丰科技122.pdf

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G80P03K

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheG80P03Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide

excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide

varietyofapplications.

GeneralFeatures

lVDS-30V

lI(atV-10V)-80A

DGSSchematicdiagram

lRDS(ON)(atVGS-10V)5.5mΩ

lRDS(ON)(atVGS-4.5V)7.5mΩ

l100%AvalancheTested

lRoHSCompliant

Application

lPowerswitch

lDC/DCconverters

TO-252

OrderingInformation

DevicePackageMarkingPackaging

G80P03KTO-252G80P032500pcs/Reel

AbsoluteMaximumRatingsT25ºC,unlessotherwisenoted

C

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS-30V

ContinuousDrainCurrentID-80A

PulsedDrainCurrent(note1)IDM-320A

Gate-SourceVoltageVGS±20V

PowerDissipation

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专注电子行业10年,主营电源管理IC、MOS管,方案配套

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