HF75N04DF 40V 75A 4.5mΩ N-MOS DFN3×3 深圳黑锋科技.pdf

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HF75N04DF

N-ChannelEnhancementModePower

DESCRIPTION

TheHF75N04DFusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.lt

canbeusedinawidevarietyofapplications.

GeneralFeaturesApplication

HighdensitycelldesignforultralowRdsonPowerswitchingapplication

FullycharacterizedavalanchevoltageandcurrentUninterruptiblepowersupply

Goodstability

Excellentpackageforgoodheatdissipation

SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability

V(BR)DSSRDS(on)MAXID

TypicalApplicationCircuit

40V4.5mΩ75A

DFN3*3

AbsoluteMaximumRatings

SymbolParameterRatingUnits

Drain-sourcevoltageVDS

Gate-sourcevoltageVGS±20

Draincurrent-continuousID75A

Draincurrent-continuous(TC100℃)ID(100℃）38A

PulsedDraincurrentIDM160A

MaximumpowerDissipationPD60W

Debatingfactor0.57W/℃

SinglepulseavalancheenergyEAS50mJ

OperatingJunctionandStorageTemperatureRangeTJ,TSTG-55To175

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

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