一种合成半导体化合物的方法.pdfVIP

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2024-04-17 发布于四川
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一种合成半导体化合物的方法.pdf

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一种合成半导体化合物的方法，涉及化合物半导体的制备领域，用于合成磷化铟、磷化镓等半导体材料，关键在于，在合成过程中，旋转坩埚，使坩埚中的熔体在离心力的作用下贴在坩埚侧壁上，形成筒状；将气泡注入金属熔体靠近坩埚侧壁位置。在离心力的作用下，密度较重的金属原子会向坩埚边缘方向运动，而密度较轻的非金属原子会向坩埚中心运动，使得坩埚侧壁的金属原子较多。注入区域周围非金属原子的浓度较低，合成速率较快，加速整体合成过程。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115198355A

(43)申请公布日2022.10.18

(21)申请号202210829234.1C30B29/40(2006.01)

(22)申请日2022.07.